ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Defects in mercuric iodide: an APW investigation (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.236
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Artigo de periodico
An ab initio investigation on nickel impurities in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.010
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Artigo de periodico
Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.008
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Artigo de periodico
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.187
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Artigo de periodico
Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Inter-relation between reversible and irreversible magnetization components in nanocrystalline SmCo films (2002)
Cornejo, Daniel Reinaldo; Bertorello, H R; Missell, Frank Patrick
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORNEJO, Daniel Reinaldo e BERTORELLO, H R e MISSELL, Frank Patrick. Inter-relation between reversible and irreversible magnetization components in nanocrystalline SmCo films. Physica B, v. 320, n. 1-4, p. 300-303, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00721-4. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Cornejo, D. R., Bertorello, H. R., & Missell, F. P. (2002). Inter-relation between reversible and irreversible magnetization components in nanocrystalline SmCo films. Physica B, 320( 1-4), 300-303. doi:10.1016/s0921-4526(02)00721-4
NLM
Cornejo DR, Bertorello HR, Missell FP. Inter-relation between reversible and irreversible magnetization components in nanocrystalline SmCo films [Internet]. Physica B. 2002 ; 320( 1-4): 300-303.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00721-4
Vancouver
Cornejo DR, Bertorello HR, Missell FP. Inter-relation between reversible and irreversible magnetization components in nanocrystalline SmCo films [Internet]. Physica B. 2002 ; 320( 1-4): 300-303.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(02)00721-4
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Trabalho de evento-anais periodico
Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices (2001)
Pusep, Yuri A.; Liang, Jun-Jih; Geurts, J; Moshegov, N N
Source: Physica B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices. Physica B. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3. Acesso em: 17 jun. 2024. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Liang, J. -J., Geurts, J., & Moshegov, N. N. (2001). Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices. Physica B. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/S0921-4526(01)00328-3
NLM
Pusep YA, Liang J-J, Geurts J, Moshegov NN. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ;298 324-328.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3
Vancouver
Pusep YA, Liang J-J, Geurts J, Moshegov NN. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ;298 324-328.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3
Artigo de periodico
Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface (2001)
Caldas, Marilia Junqueira; Baierle, Rogerio Jose; Capaz, R B; Artacho, E
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface. Physica B, v. 308, p. 329-332, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Caldas, M. J., Baierle, R. J., Capaz, R. B., & Artacho, E. (2001). Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface. Physica B, 308, 329-332. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
NLM
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 329-332.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
Vancouver
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 329-332.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
Artigo de periodico
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, v. 302-303, p. 398-402, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, 302-303, 398-402. doi:10.1016/s0921-4526(01)00461-6
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Artigo de periodico
Commensurability oscillations in wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field (2001)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A; Litvin, L V; Moshegov, N T; Toropov, A I
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Commensurability oscillations in wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 302-305, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00323-4. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Litvin, L. V., Moshegov, N. T., & Toropov, A. I. (2001). Commensurability oscillations in wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field. Physica B, 298( 1-4), 302-305. doi:10.1016/s0921-4526(01)00323-4
NLM
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Litvin LV, Moshegov NT, Toropov AI. Commensurability oscillations in wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 302-305.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00323-4
Vancouver
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Litvin LV, Moshegov NT, Toropov AI. Commensurability oscillations in wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 302-305.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00323-4
Artigo de periodico
Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces (2000)
Miotto, R.; DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. et al. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces. Physica B, v. 292, n. 1-2, p. 97-108, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Miotto, R., DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS,, Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces. Physica B, 292( 1-2), 97-108. doi:10.1016/s0921-4526(00)00488-9
NLM
Miotto R, DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS, Srivastava GP, Ferraz AC. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces [Internet]. Physica B. 2000 ; 292( 1-2): 97-108.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9
Vancouver
Miotto R, DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS, Srivastava GP, Ferraz AC. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces [Internet]. Physica B. 2000 ; 292( 1-2): 97-108.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9
Trabalho de evento-anais periodico
Manifestation of charge-flux duality in a 2D electron gas near filling factor 'nu'= 1/2 (1998)
Gusev, G M; Kvon, Z D; Olshanetsky, E B; Maude, D K; Kleber, X; Portal, J C
Source: Physica B. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Manifestation of charge-flux duality in a 2D electron gas near filling factor 'nu'= 1/2. Physica B. Amsterdam: North-Holland. . Acesso em: 17 jun. 2024. , 1998
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Maude, D. K., Kleber, X., & Portal, J. C. (1998). Manifestation of charge-flux duality in a 2D electron gas near filling factor 'nu'= 1/2. Physica B. Amsterdam: North-Holland.
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Maude DK, Kleber X, Portal JC. Manifestation of charge-flux duality in a 2D electron gas near filling factor 'nu'= 1/2. Physica B. 1998 ; 249-251 27-31.[citado 2024 jun. 17 ]
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Maude DK, Kleber X, Portal JC. Manifestation of charge-flux duality in a 2D electron gas near filling factor 'nu'= 1/2. Physica B. 1998 ; 249-251 27-31.[citado 2024 jun. 17 ]
Artigo de periodico
2D lattice of coupled Sinai billiards: metal or insulator at g1? (1998)
Budantsev, M V (*); Kvon, Z D (*); Pogosov, A G (*); Gusev, Guennadii Michailovich; Portal, J C (*); Maude, D K (*); Moshegov, N T (*); Toropov, A I (*)
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BUDANTSEV, M V (*) et al. 2D lattice of coupled Sinai billiards: metal or insulator at g1?. Physica B, v. 258, p. 595-599, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00680-2. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Budantsev, M. V. (*), Kvon, Z. D. (*), Pogosov, A. G. (*), Gusev, G. M., Portal, J. C. (*), Maude, D. K. (*), et al. (1998). 2D lattice of coupled Sinai billiards: metal or insulator at g1? Physica B, 258, 595-599. doi:10.1016/s0921-4526(98)00680-2
NLM
Budantsev MV (*), Kvon ZD (*), Pogosov AG (*), Gusev GM, Portal JC (*), Maude DK (*), Moshegov NT (*), Toropov AI (*). 2D lattice of coupled Sinai billiards: metal or insulator at g1? [Internet]. Physica B. 1998 ; 258 595-599.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00680-2
Vancouver
Budantsev MV (*), Kvon ZD (*), Pogosov AG (*), Gusev GM, Portal JC (*), Maude DK (*), Moshegov NT (*), Toropov AI (*). 2D lattice of coupled Sinai billiards: metal or insulator at g1? [Internet]. Physica B. 1998 ; 258 595-599.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00680-2
Artigo de periodico
Magneto-oscillations in a wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field (1998)
Gusev, G M; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Toropov, A I
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magneto-oscillations in a wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field. Physica B, v. 248-251, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00497-9. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Leite, J. R., Moshegov, N. T., & Toropov, A. I. (1998). Magneto-oscillations in a wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field. Physica B, 248-251. doi:10.1016/s0921-4526(98)00497-9
NLM
Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Toropov AI. Magneto-oscillations in a wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Physica B. 1998 ; 248-251[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00497-9
Vancouver
Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Toropov AI. Magneto-oscillations in a wide parabolic well in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Physica B. 1998 ; 248-251[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00497-9
Trabalho de evento-anais periodico
Spin-splitting collapse in a 2D electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructure (1998)
Gusev, G M; Kvon, Z D; Olshanetsky, E B; Maude, D K; Portal, J C
Source: Physica B. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, EP2DS-12. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Spin-splitting collapse in a 2D electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructure. Physica B. Amsterdam: North-Holland Physics. . Acesso em: 17 jun. 2024. , 1998
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Maude, D. K., & Portal, J. C. (1998). Spin-splitting collapse in a 2D electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructure. Physica B. Amsterdam: North-Holland Physics.
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Maude DK, Portal JC. Spin-splitting collapse in a 2D electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructure. Physica B. 1998 ; 249-251 771-774.[citado 2024 jun. 17 ]
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Maude DK, Portal JC. Spin-splitting collapse in a 2D electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructure. Physica B. 1998 ; 249-251 771-774.[citado 2024 jun. 17 ]
Artigo de periodico
Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers (1998)
Koenraad, P M; Henriques, André Bohomoletz; van de Stadt, A F W; Wolter, J H
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOENRAAD, P M et al. Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers. Physica B, v. 258, p. 229-232, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00552-3. Acesso em: 17 jun. 2024.
APA
Koenraad, P. M., Henriques, A. B., van de Stadt, A. F. W., & Wolter, J. H. (1998). Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers. Physica B, 258, 229-232. doi:10.1016/s0921-4526(98)00552-3
NLM
Koenraad PM, Henriques AB, van de Stadt AFW, Wolter JH. Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers [Internet]. Physica B. 1998 ; 258 229-232.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00552-3
Vancouver
Koenraad PM, Henriques AB, van de Stadt AFW, Wolter JH. Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers [Internet]. Physica B. 1998 ; 258 229-232.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00552-3

USP Schools

ReP

Filtros

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Normalized affiliation