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Relatorio tecnico
X-ray dynamical diffraction in amino acid crystals: a step towards improving structural resolution of biological molecules via physical phase measurements (2016)
Morelhão, Sergio Luiz; Remédios, Cláudio M. R.; Calligaris, Guilherme; Nisbet, Gareth
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, RAIOS X
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. X-ray dynamical diffraction in amino acid crystals: a step towards improving structural resolution of biological molecules via physical phase measurements. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1611.07666.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024. , 2016
APA
Morelhão, S. L., Remédios, C. M. R., Calligaris, G., & Nisbet, G. (2016). X-ray dynamical diffraction in amino acid crystals: a step towards improving structural resolution of biological molecules via physical phase measurements. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1611.07666.pdf
NLM
Morelhão SL, Remédios CMR, Calligaris G, Nisbet G. X-ray dynamical diffraction in amino acid crystals: a step towards improving structural resolution of biological molecules via physical phase measurements [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1611.07666.pdf
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Morelhão SL, Remédios CMR, Calligaris G, Nisbet G. X-ray dynamical diffraction in amino acid crystals: a step towards improving structural resolution of biological molecules via physical phase measurements [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1611.07666.pdf
Relatorio tecnico
Collapse of the 'GD' POT. 3+' ESR fine structure throughout the coherent temperature of the 'GD'-doped kondo Semiconductor 'CE''FE IND. 4''P IND. 12' (2016)
Venegas, P. A.; Garcia, D. J.; Cabrera, G.; Avila, M. A.; Rettori, C.; Garcia, Fernando Assis
Unidade: IF
Assuntos: SPIN, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEGAS, P. A. et al. Collapse of the 'GD' POT. 3+' ESR fine structure throughout the coherent temperature of the 'GD'-doped kondo Semiconductor 'CE''FE IND. 4''P IND. 12'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1607/1607.04620.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024. , 2016
APA
Venegas, P. A., Garcia, D. J., Cabrera, G., Avila, M. A., Rettori, C., & Garcia, F. A. (2016). Collapse of the 'GD' POT. 3+' ESR fine structure throughout the coherent temperature of the 'GD'-doped kondo Semiconductor 'CE''FE IND. 4''P IND. 12'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1607/1607.04620.pdf
NLM
Venegas PA, Garcia DJ, Cabrera G, Avila MA, Rettori C, Garcia FA. Collapse of the 'GD' POT. 3+' ESR fine structure throughout the coherent temperature of the 'GD'-doped kondo Semiconductor 'CE''FE IND. 4''P IND. 12' [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1607/1607.04620.pdf
Vancouver
Venegas PA, Garcia DJ, Cabrera G, Avila MA, Rettori C, Garcia FA. Collapse of the 'GD' POT. 3+' ESR fine structure throughout the coherent temperature of the 'GD'-doped kondo Semiconductor 'CE''FE IND. 4''P IND. 12' [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1607/1607.04620.pdf
Artigo de periodico
The role of oxygen vacancies and their location in the magnetic properties of Ce1-xCuxO2-δ nanorods (2015)
Bernardi, Maria Inês Basso; Mesquita, A.; Béron, F.; Pirota, K. R.; Zevallos, A. O.; Doriguetto, A. C.; Carvalho, H. B.
Fonte: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, OXIGÊNIO, MAGNETISMO (PROPRIEDADES), SEMICONDUTORES
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ABNT
BERNARDI, Maria Inês Basso et al. The role of oxygen vacancies and their location in the magnetic properties of Ce1-xCuxO2-δ nanorods. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 17, n. 5, p. 3072-3080, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c4cp04879b. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Bernardi, M. I. B., Mesquita, A., Béron, F., Pirota, K. R., Zevallos, A. O., Doriguetto, A. C., & Carvalho, H. B. (2015). The role of oxygen vacancies and their location in the magnetic properties of Ce1-xCuxO2-δ nanorods. Physical Chemistry Chemical Physics, 17( 5), 3072-3080. doi:10.1039/c4cp04879b
NLM
Bernardi MIB, Mesquita A, Béron F, Pirota KR, Zevallos AO, Doriguetto AC, Carvalho HB. The role of oxygen vacancies and their location in the magnetic properties of Ce1-xCuxO2-δ nanorods [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( 5): 3072-3080.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04879b
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Bernardi MIB, Mesquita A, Béron F, Pirota KR, Zevallos AO, Doriguetto AC, Carvalho HB. The role of oxygen vacancies and their location in the magnetic properties of Ce1-xCuxO2-δ nanorods [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( 5): 3072-3080.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04879b
Artigo de periodico
Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples (2010)
Carvalho, H B de; Godoy, M P F; Paes, R W D; Mir, M; Ortiz de Zevallos, A; Iikawa, F; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Chitta, Valmir Antonio; Ferraz, W B; Boselli, M A; Sabioni, A C S
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARVALHO, H B de et al. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 3, p. 33914/1-33914/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3459885. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Carvalho, H. B. de, Godoy, M. P. F., Paes, R. W. D., Mir, M., Ortiz de Zevallos, A., Iikawa, F., et al. (2010). Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, 108( 3), 33914/1-33914/5. doi:10.1063/1.3459885
NLM
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Vancouver
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Artigo de periodico
Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations (2006)
Marques, M; FERROMAGNETISMO; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B, v. 73, n. 22, p. 224409, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., FERROMAGNETISMO,, Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2006). Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B, 73( 22), 224409. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, FERROMAGNETISMO, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmuller J, Bechstedt F. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 22): 224409.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, FERROMAGNETISMO, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmuller J, Bechstedt F. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 22): 224409.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors (2006)
Silva, Antonio José Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, Antonio José Roque da et al. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 813-816, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2006). Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 813-816. doi:10.1590/s0103-97332006000600004
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Artigo de periodico
Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements (2006)
Koning, M de; Antonelli, Alex; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
KONING, M de et al. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. Physical Review Letters, v. 96, n. 7, p. 075501/1-075501/4, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Koning, M. de, Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements. Physical Review Letters, 96( 7), 075501/1-075501/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;96( 7): 075501/1-075501/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Koning M de, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Orientational Defects in Ice Ih: an interpretation of electrical conductivity measurements [Internet]. Physical Review Letters. 2006 ;96( 7): 075501/1-075501/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000096000007075501000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)
Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Trabalho de evento
Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors (2005)
Silva, Antonio José Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos (Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, RJ, Brasil); Oliveira, Luiz E
Fonte: Program. Nome do evento: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio José Roque da e FAZZIO, Adalberto e OLIVEIRA, Luiz E. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0020-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Oliveira, L. E. (2005). Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0020-1.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0020-1.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0020-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A; Oliveira, L E; Santos, R R dos
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Antonelli, A., Oliveira, L. E., & Santos, R. R. dos. (2004). Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A, Oliveira LE, Santos RR dos. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A, Oliveira LE, Santos RR dos. Theoretical studies of Mn in GaAs and type-IV semiconductors [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/workshop.pdf
Trabalho de evento-resumo
A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2004). A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Ab inition calculations of Mn-Mn interactions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Ab inition calculations of Mn-Mn interactions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-2.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2004). Ab inition calculations of Mn-Mn interactions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-2.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Ab inition calculations of Mn-Mn interactions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-2.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Ab inition calculations of Mn-Mn interactions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-2.pdf
Artigo de periodico
Hole mobility in zincblende c-GaN (2004)
Rodrigues, C G; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Chitta, V A; Freire, V N; Vasconcellos, A R; Luzzi, R
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, C G et al. Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Rodrigues, C. G., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Chitta, V. A., Freire, V. N., Vasconcellos, A. R., & Luzzi, R. (2004). Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 16, n. 46, p. 8243-8250, 2004Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2004). First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors. Journal of Physics: Condensed Matter, 16( 46), 8243-8250. Recuperado de http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 46): 8243-8250.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 46): 8243-8250.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
Trabalho de evento-resumo
First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys (2004)
Marques, Marcelo; Telles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Marcelo et al. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., Telles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2004). First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
NLM
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Vancouver
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Artigo de periodico
Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Antonelli, Alex
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors. Physical Review B, v. 70, p. 193205/1-193205/4, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2004). Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors. Physical Review B, 70, 193205/1-193205/4. doi:10.1103/physrevb.70.193205
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193205/1-193205/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193205/1-193205/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193205
Artigo de periodico
Microscopic description of the phase separation process in "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" N quaternary alloys (2004)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Ferreira, L G
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Microscopic description of the phase separation process in "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" N quaternary alloys. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Ferreira, L. G. (2004). Microscopic description of the phase separation process in "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" N quaternary alloys. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Ferreira LG. Microscopic description of the phase separation process in "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" N quaternary alloys [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Ferreira LG. Microscopic description of the phase separation process in "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" N quaternary alloys [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000007073202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Fonte: Books Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]

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