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Trabalho de evento-resumo
First principles calculations for vacancies and antisites in 'PB''SE' and 'PB''TE': bulk and nanowire (2013)
Wrasse, Ernesto O.; Baierle, Rogério J.; Venezuela, Pedro P. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
WRASSE, Ernesto O. et al. First principles calculations for vacancies and antisites in 'PB''SE' and 'PB''TE': bulk and nanowire. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0828-1.pdf. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Venezuela, P. P. M., & Fazzio, A. (2013). First principles calculations for vacancies and antisites in 'PB''SE' and 'PB''TE': bulk and nanowire. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0828-1.pdf
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Venezuela PPM, Fazzio A. First principles calculations for vacancies and antisites in 'PB''SE' and 'PB''TE': bulk and nanowire [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0828-1.pdf
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Venezuela PPM, Fazzio A. First principles calculations for vacancies and antisites in 'PB''SE' and 'PB''TE': bulk and nanowire [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0828-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O (2009)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2009). Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
Artigo de periodico
Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations (2007)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, v. 75, n. 19, p. 193203/1-193203/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, 75( 19), 193203/1-193203/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires (2005)
Schmidt, Tomé; Miwa, Roberto; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, SEMICONDUTIVIDADE, DENSIDADE DOS SÓLIDOS
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ABNT
SCHMIDT, Tomé et al. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires. 2005, Anais.. São Pedro: SBQT, 2005. Disponível em: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Schmidt, T., Miwa, R., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires. In Resumos. São Pedro: SBQT. Recuperado de http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc
NLM
Schmidt T, Miwa R, Venezuela P, Fazzio A. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc
Vancouver
Schmidt T, Miwa R, Venezuela P, Fazzio A. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc
Trabalho de evento
Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) (2005)
Miwa, Roberto Hiroki; Schmidt, Tomé; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
Venezuela, P; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf

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