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Trabalho de evento-resumo
Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors (2013)
Caroena, Glaura; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Caroena, G., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2013). Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
NLM
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Vancouver
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond (2006)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
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Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Trabalho de evento
Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' (2004)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
AYRES, F et al. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. In Anais. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
NLM
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Anais. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Anais. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' (2004)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
NLM
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Artigo de periodico
Electronic properties of isolated nickel in diamond (2004)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Artigo de periodico
A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects (2004)
Ayres, F; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400042
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Trabalho de evento-resumo
Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers (2004)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2004). Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Godoi, Adriana Lima de
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Godoi, A. L. de. (2004). Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.155212
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
Trabalho de evento-resumo
A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties (2004)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Artigo de periodico
Defects in mercuric iodide: an APW investigation (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.236
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Artigo de periodico
An ab initio investigation on nickel impurities in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.010
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010

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