Filtros : "MATÉRIA CONDENSADA" "EP-PSI" Removidos: "CONTABILIDADE E ATUARIA" "Ferraz, A. C." Limpar

Filtros



Refine with date range


  • Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SPARVOLI, Marina et al. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Sparvoli, M., Jorge, F. de O., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2014). Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
    • NLM

      Sparvoli M, Jorge F de O, Mansano RD, Chubaci JFD. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
    • Vancouver

      Sparvoli M, Jorge F de O, Mansano RD, Chubaci JFD. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
  • Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENERGIA SOLAR

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e ONMORI, Roberto Koji e CHUBACI, José Fernando Diniz. Solar cells based in ITO and ITON thin films. 2014, Anais.. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Sparvoli, M., Onmori, R. K., & Chubaci, J. F. D. (2014). Solar cells based in ITO and ITON thin films. In SBF. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-1.pdf
    • NLM

      Sparvoli M, Onmori RK, Chubaci JFD. Solar cells based in ITO and ITON thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-1.pdf
    • Vancouver

      Sparvoli M, Onmori RK, Chubaci JFD. Solar cells based in ITO and ITON thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-1.pdf
  • Unidades: EP, IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Dataset Papers in Physics: Condensed Matter Physics. . New York: Hindawi. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 2012
    • APA

      Alayo Chávez, M. I. (2012). Dataset Papers in Physics: Condensed Matter Physics. New York: Hindawi.
    • NLM

      Alayo Chávez MI. Dataset Papers in Physics: Condensed Matter Physics. 2012 ;[citado 2024 ago. 10 ]
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI. Dataset Papers in Physics: Condensed Matter Physics. 2012 ;[citado 2024 ago. 10 ]
  • Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IF, EP

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets. The Journal of Physical Chemistry C, v. 115, n. 27, p. 13242-13246, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp203657w. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Garcia, J. C., Lima, D. B. de, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2011). Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets. The Journal of Physical Chemistry C, 115( 27), 13242-13246. doi:10.1021/jp203657w
    • NLM

      Garcia JC, Lima DB de, Justo Filho JF, Assali LVC. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ;115( 27): 13242-13246.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp203657w
    • Vancouver

      Garcia JC, Lima DB de, Justo Filho JF, Assali LVC. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ;115( 27): 13242-13246.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp203657w
  • Source: Physica B. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
    • NLM

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      POJAR, Mariana et al. Estudo de propriedades magnéticas em objetos microestruturados. 2006, Anais.. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0856-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Pojar, M., Schoenmaker, J., Santos, A. D. dos, Seabra, A. C., Lancarotte, M. S., & Souche, Y. (2006). Estudo de propriedades magnéticas em objetos microestruturados. In . São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0856-1.pdf
    • NLM

      Pojar M, Schoenmaker J, Santos AD dos, Seabra AC, Lancarotte MS, Souche Y. Estudo de propriedades magnéticas em objetos microestruturados [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0856-1.pdf
    • Vancouver

      Pojar M, Schoenmaker J, Santos AD dos, Seabra AC, Lancarotte MS, Souche Y. Estudo de propriedades magnéticas em objetos microestruturados [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0856-1.pdf
  • Source: Physica B. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
    • NLM

      Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
    • Vancouver

      Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
    • NLM

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
    • Vancouver

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
  • Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCHOENMAKER, J et al. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, v. 88, n. 6, p. 062506, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2172016. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Schoenmaker, J., Santos, A. D., Souche, Y., Seabra, A. C., & Sampaio, L. C. (2006). Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy. Applied Physics Letters, 88( 6), 062506. doi:10.1063/1.2172016
    • NLM

      Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
    • Vancouver

      Schoenmaker J, Santos AD, Souche Y, Seabra AC, Sampaio LC. Imaging of domain wall motion in small magnetic particles through near-field microscopy [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 6): 062506.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2172016
  • Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
    • NLM

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
    • Vancouver

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
    • NLM

      Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
    • Vancouver

      Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 ago. 10 ]
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 ago. 10 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
    • NLM

      Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
    • Vancouver

      Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
    • NLM

      Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
    • Vancouver

      Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCHOENMAKER, Jeroen et al. Produção de pontas por ataque químico para microscopia magnetoóptica de varredura em campo-próximo. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileiro de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0900-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Schoenmaker, J., Pojar, M., Melo, L. G. C., Barrera, A. D. B., Santos, A. D. dos, & Seabra, A. C. (2005). Produção de pontas por ataque químico para microscopia magnetoóptica de varredura em campo-próximo. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileiro de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0900-1.pdf
    • NLM

      Schoenmaker J, Pojar M, Melo LGC, Barrera ADB, Santos AD dos, Seabra AC. Produção de pontas por ataque químico para microscopia magnetoóptica de varredura em campo-próximo [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0900-1.pdf
    • Vancouver

      Schoenmaker J, Pojar M, Melo LGC, Barrera ADB, Santos AD dos, Seabra AC. Produção de pontas por ataque químico para microscopia magnetoóptica de varredura em campo-próximo [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0900-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SUPERCONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ORTIZ, E B et al. Fabricação, desenvolvimento e interface de micro SQUIDs. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0935-3.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Ortiz, E. B., Takeuchi, A. Y., Guimarães, A. P., Favre-Nicolin, E., Sampaio, L., Cernicchiaro, G. R. C., et al. (2005). Fabricação, desenvolvimento e interface de micro SQUIDs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0935-3.pdf
    • NLM

      Ortiz EB, Takeuchi AY, Guimarães AP, Favre-Nicolin E, Sampaio L, Cernicchiaro GRC, Pojar M, Schoenmaker J, Romero SA, Santos AD, Seabra AC. Fabricação, desenvolvimento e interface de micro SQUIDs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0935-3.pdf
    • Vancouver

      Ortiz EB, Takeuchi AY, Guimarães AP, Favre-Nicolin E, Sampaio L, Cernicchiaro GRC, Pojar M, Schoenmaker J, Romero SA, Santos AD, Seabra AC. Fabricação, desenvolvimento e interface de micro SQUIDs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0935-3.pdf
  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
  • Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidades: IF, EP

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SAMPAIO, L C et al. Changing of magnetic coupling in Co/Pt multilayers in films and nanostructures using ion irradiation. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0293-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Sampaio, L. C., Santos, M. C. dos, Favre-Nicolin, E., Guimarães, A. P., Santos, A. D., Seabra, A. C., & Amaral, L. (2005). Changing of magnetic coupling in Co/Pt multilayers in films and nanostructures using ion irradiation. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0293-1.pdf
    • NLM

      Sampaio LC, Santos MC dos, Favre-Nicolin E, Guimarães AP, Santos AD, Seabra AC, Amaral L. Changing of magnetic coupling in Co/Pt multilayers in films and nanostructures using ion irradiation [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0293-1.pdf
    • Vancouver

      Sampaio LC, Santos MC dos, Favre-Nicolin E, Guimarães AP, Santos AD, Seabra AC, Amaral L. Changing of magnetic coupling in Co/Pt multilayers in films and nanostructures using ion irradiation [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0293-1.pdf
  • Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
    • NLM

      Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
    • Vancouver

      Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024