Internal strain distribution in freestanding porous silicon (2009)
Pusep, Yuri A 
; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Comedi, D
Source: Journal of the Eletrochemical Society. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, SILICIO (PROPRIEDADES), ELETROQUÍMICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, v. 156, n. 12, p. K215-K217, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3225832. Acesso em: 15 nov. 2024.APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2009). Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, 156( 12), K215-K217. doi:10.1149/1.3225832NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832
