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  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      BORGER, Pablo Damasceno et al. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Borger, P. D., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
    • NLM

      Borger PD, Lino AT, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
    • Vancouver

      Borger PD, Lino AT, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 07 nov. 2024. , 2007
    • APA

      Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      SILVA, C C et al. Ab initio study of the vibrational and related properties of transition-metal oxides. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0381-3.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Silva, C. C., Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Ab initio study of the vibrational and related properties of transition-metal oxides. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0381-3.pdf
    • NLM

      Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Ab initio study of the vibrational and related properties of transition-metal oxides [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0381-3.pdf
    • Vancouver

      Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Ab initio study of the vibrational and related properties of transition-metal oxides [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0381-3.pdf
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SOUSA, J S de et al. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Sousa, J. S. de, Barros, E. B., Freire, V. N., Silva Júnior, E. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ]
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
  • Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
    • NLM

      Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
    • Vancouver

      Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
  • Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF

    Assunto: MATERIAIS

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    • ABNT

      CAETANO, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, E. W. S., Pereira, T., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
    • NLM

      Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 07 ]

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