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Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
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ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Trabalho de evento-resumo
Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene (2018)
Sousa, Jose Eduardo Rodrigues de; Pontes, Renato Borges; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SOUSA, Jose Eduardo Rodrigues de et al. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Sousa, J. E. R. de, Pontes, R. B., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2018). Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
NLM
Sousa JER de, Pontes RB, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
Vancouver
Sousa JER de, Pontes RB, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Oxidation of free-standing and supported borophene (2016)
Alvarez-Quiceno, Juan C; Miwa, Roberto Hiroki; Dalpian, Gustavo M; Fazzio, Adalberto
Source: Posters - Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ALVAREZ-QUICENO, Juan C et al. Oxidation of free-standing and supported borophene. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Alvarez-Quiceno, J. C., Miwa, R. H., Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2016). Oxidation of free-standing and supported borophene. In Posters - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
NLM
Alvarez-Quiceno JC, Miwa RH, Dalpian GM, Fazzio A. Oxidation of free-standing and supported borophene [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
Vancouver
Alvarez-Quiceno JC, Miwa RH, Dalpian GM, Fazzio A. Oxidation of free-standing and supported borophene [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
Artigo de periodico
Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane (2016)
Padilha, Jose Eduardo; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
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ABNT
PADILHA, Jose Eduardo e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 18, n. 36, p. 25491-25496, 2016Tradução . . Disponível em: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 18( 36), 25491-25496. doi:10.1039/c6cp05092a
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2016 ; 18( 36): 25491-25496.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2016 ; 18( 36): 25491-25496.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract
Artigo de periodico
A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds (2016)
Padilha, J. E.; Pontes, R. B.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: SCIENTIFIC REPORTS. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
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ABNT
PADILHA, J. E. et al. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, p. 26123 , 2016Tradução . . Disponível em: http://www.nature.com/articles/srep26123. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. SCIENTIFIC REPORTS, 6, 26123 . doi:10.1038/srep26123
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. SCIENTIFIC REPORTS. 2016 ; 6 26123 .[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.nature.com/articles/srep26123
Trabalho de evento-resumo
A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds (2016)
Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Oral Session - Resumo. Conference titles: Encontro de Física |d ( 2016 |c Natal, RN, Brasil ). Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPINTRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato Borges et al. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Pontes, R. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. In Oral Session - Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
NLM
Pontes RB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Isolantes Topológicos 2D: a heteroestrutura 'HG''TE'/'CD''TE' sob perturbações (2015)
Piquini, Paulo Cesar; Anversa, Jonas; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Escola de Verão Jorge André Swieca de Partículas e Campos. Unidade: IF
Subjects: SPIN, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
PIQUINI, Paulo Cesar et al. Isolantes Topológicos 2D: a heteroestrutura 'HG''TE'/'CD''TE' sob perturbações. 2015, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxiii/programa/trabalhos.asp?sesId=18. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Piquini, P. C., Anversa, J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2015). Isolantes Topológicos 2D: a heteroestrutura 'HG''TE'/'CD''TE' sob perturbações. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxiii/programa/trabalhos.asp?sesId=18
NLM
Piquini PC, Anversa J, Schmidt TM, Fazzio A. Isolantes Topológicos 2D: a heteroestrutura 'HG''TE'/'CD''TE' sob perturbações [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxiii/programa/trabalhos.asp?sesId=18
Vancouver
Piquini PC, Anversa J, Schmidt TM, Fazzio A. Isolantes Topológicos 2D: a heteroestrutura 'HG''TE'/'CD''TE' sob perturbações [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxiii/programa/trabalhos.asp?sesId=18
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Artigo de periodico
Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
Abdalla, Leonardo Batoni; Padilha, Jose E.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, R. H.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024. , 2014
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Artigo de periodico
First-principles study of 'HG''TE'/'CD''TE' heterostructures under perturbations preserving time-reversal symmetry (2014)
Anversa, Jonas; Piquini, Paulo; Schmidt, Tome M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SIMETRIA, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANVERSA, Jonas et al. First-principles study of 'HG''TE'/'CD''TE' heterostructures under perturbations preserving time-reversal symmetry. PHYSICAL REVIEW B, v. no 2014, n. 19, p. 195311, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.195311. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Anversa, J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2014). First-principles study of 'HG''TE'/'CD''TE' heterostructures under perturbations preserving time-reversal symmetry. PHYSICAL REVIEW B, no 2014( 19), 195311. doi:10.1103/PhysRevB.90.195311
NLM
Anversa J, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of 'HG''TE'/'CD''TE' heterostructures under perturbations preserving time-reversal symmetry [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; no 2014( 19): 195311.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.195311
Vancouver
Anversa J, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of 'HG''TE'/'CD''TE' heterostructures under perturbations preserving time-reversal symmetry [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; no 2014( 19): 195311.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.195311
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Artigo de periodico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation (2014)
Mera Acosta, Carlos Augusto ; Miwa, R. H.; Lima, Matheus P ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERA ACOSTA, Carlos Augusto et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 89, n. 15, p. 155438, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Mera Acosta, C. A., Miwa, R. H., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, 89( 15), 155438. doi:10.1103/PhysRevB.89.155438
NLM
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Vancouver
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Trabalho de evento-resumo periodico
Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry (2013)
Schmidt, Tome; Anversa, Jonas; Piquini, Paulo; Fazzio, Adalberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome et al. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024. , 2013
APA
Schmidt, T., Anversa, J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2013). Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
NLM
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Vancouver
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Artigo de periodico
Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation (2013)
Abdalla, Leonardo Batoni; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, ÁTOMOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 4, p. 045312, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 88( 4), 045312. doi:10.1103/PhysRevB.88.045312
NLM
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Vancouver
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312
Artigo de periodico
Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)
Schmidt, Tome M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Artigo de periodico
Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation (2013)
Scopel, W. L.; Miwa, R H; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, W. L. et al. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 87, n. 16, p. 165307, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Scopel, W. L., Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 87( 16), 165307. doi:10.1103/PhysRevB.87.165307
NLM
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Vancouver
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Artigo de periodico
First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)
Wrasse, E O; Baierle, R. J.; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Trabalho de evento-resumo periodico
Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ (2013)
Seixas, Leandro; Abdalla, Leonardo; Schmidt, Tomé; Fazzio, Adalberto; Miwa, Roberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEIXAS, Leandro et al. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024. , 2013
APA
Seixas, L., Abdalla, L., Schmidt, T., Fazzio, A., & Miwa, R. (2013). Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
NLM
Seixas L, Abdalla L, Schmidt T, Fazzio A, Miwa R. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
Vancouver
Seixas L, Abdalla L, Schmidt T, Fazzio A, Miwa R. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities (2013)
Abdalla, Leonardo Batoni; Fazzio, Adalberto; Schmidt, Tomé; Miwa, Roberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024. , 2013
APA
Abdalla, L. B., Fazzio, A., Schmidt, T., & Miwa, R. (2013). Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf
NLM
Abdalla LB, Fazzio A, Schmidt T, Miwa R. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf
Vancouver
Abdalla LB, Fazzio A, Schmidt T, Miwa R. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf

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