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Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 jul. 01 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 jul. 01 ]
Artigo de periodico
Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 5892-5895, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, 91( 9), 5892-5895. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, G. M.; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 48, p. 12761-12765, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 48), 12761-12765. doi:10.1088/0953-8984/14/48/314
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Artigo de periodico
Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H (2002)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, v. 65, n. 10, p. 104108/1-104108/5. 2002, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108. Acesso em: 01 jul. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, 65( 10), 104108/1-104108/5. 2002. doi:10.1103/PhysRevB.65.104108
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2024 jul. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108

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