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Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 10 jul. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 10 jul. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells (2008)
Silva, M A T da; Morais, R R O; Dias, I F L; Lourenço, S A; Duarte, J L; Laureto, E; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO
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ABNT
SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 10 jul. 2024.
APA
Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
NLM
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Vancouver
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 10 jul. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Artigo de periodico
Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs (2006)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Silva, M A T da; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Fonte: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Assuntos: VÁCUO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 1, p. 111-117, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf. Acesso em: 10 jul. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 1), 111-117. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 jul. 10 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf

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