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Trabalho de evento-resumo
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Prado, Rogerio Junqueira; Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 06 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 06 ]
Artigo de periodico
Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Orellana, Walter M; Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Physical Review B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, v. 68, n. 15, p. 155332/1-155332/6, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W. M., Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, 68( 15), 155332/1-155332/6. doi:10.1103/physrevb.68.155332
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Artigo de periodico
Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 48, p. 12761-12765, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 48), 12761-12765. doi:10.1088/0953-8984/14/48/314
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
Artigo de periodico
Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H (2002)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, v. 65, n. 10, p. 104108/1-104108/5. 2002, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, 65( 10), 104108/1-104108/5. 2002. doi:10.1103/PhysRevB.65.104108
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108

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