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Artigo de periodico
Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel (2024)
Pusep, Yuri A. ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
NLM
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Vancouver
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Artigo de periodico
Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells (2023)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Villegas-Lelovsky, Leonardo ; Oliveira, Edson Rafael Cardozo de ; Marques, ‪Gilmar Eugenio; LaPierre, Ray ; Toropov, Alexander I.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, v. 108, n. 3, p. 035416-1-035416-9, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Villegas-Lelovsky, L., Oliveira, E. R. C. de, Marques, ‪G. E., LaPierre, R., Toropov, A. I., & Pusep, Y. A. (2023). Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, 108( 3), 035416-1-035416-9. doi:10.1103/PhysRevB.108.035416
NLM
Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
Vancouver
Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
Artigo de periodico
Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel (2023)
Pusep, Yuri A. ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Gennady ; Levine, Alexandre ; Bakarov, Askhat
Source: Journal of Physics D. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FÍSICA MODERNA, HIDRODINÂMICA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, v. 56, n. 17, p. 175301-1-175301-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., Levine, A., & Bakarov, A. (2023). Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, 56( 17), 175301-1-175301-8. doi:10.1088/1361-6463/acba2a
NLM
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
Vancouver
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
Artigo de periodico
Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid (2022)
Pusep, Yuri A. ; Teodoro, M. D. ; Laurindo Junior, V. ; Oliveira, E. R. Cardozo ; Gusev, Gennady ; Bakarov, A. K.
Source: Physical Review Letters. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, v. 128, n. 13, p. 136801-1-136801-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Laurindo Junior, V., Oliveira, E. R. C., Gusev, G., & Bakarov, A. K. (2022). Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, 128( 13), 136801-1-136801-6. doi:10.1103/PhysRevLett.128.136801
NLM
Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
Vancouver
Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
Artigo de periodico
Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2018)
Teodoro, M. D.; Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431
NLM
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Vancouver
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Excitonic spin-splitting in quantum wells with a tilted magnetic field (2016)
Santos, L. Fernandes dos; Castelano, L. K.; Padilha, J. X.; Pusep, Yuri A.; Marques, G. E.; Smirnov, D.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Lopez-Richard, V.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Excitonic spin-splitting in quantum wells with a tilted magnetic field. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 5, p. 055503-1-055503-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/5/055503. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Santos, L. F. dos, Castelano, L. K., Padilha, J. X., Pusep, Y. A., Marques, G. E., Smirnov, D., et al. (2016). Excitonic spin-splitting in quantum wells with a tilted magnetic field. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 5), 055503-1-055503-8. doi:10.1088/0953-8984/28/5/055503
NLM
Santos LF dos, Castelano LK, Padilha JX, Pusep YA, Marques GE, Smirnov D, Bakarov AK, Toropov AI, Lopez-Richard V. Excitonic spin-splitting in quantum wells with a tilted magnetic field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 5): 055503-1-055503-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/5/055503
Vancouver
Santos LF dos, Castelano LK, Padilha JX, Pusep YA, Marques GE, Smirnov D, Bakarov AK, Toropov AI, Lopez-Richard V. Excitonic spin-splitting in quantum wells with a tilted magnetic field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 5): 055503-1-055503-8.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/5/055503
Artigo de periodico
Grazing angle photoluminescence of porous alumina as an analytical transducer for gaseous ethanol detection (2014)
Guerreiro, Haroldo A.; Strixino, Francisco Trivinho; Chiquito, Adenilson J.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Pereira, Ernesto C.
Source: Journal of Nanoscience and Nanotechnology. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUERREIRO, Haroldo A. et al. Grazing angle photoluminescence of porous alumina as an analytical transducer for gaseous ethanol detection. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v. 14, n. 9, p. 6653-6657, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1166/jnn.2014.9375. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Guerreiro, H. A., Strixino, F. T., Chiquito, A. J., Guimarães, F. E. G., & Pereira, E. C. (2014). Grazing angle photoluminescence of porous alumina as an analytical transducer for gaseous ethanol detection. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 14( 9), 6653-6657. doi:10.1166/jnn.2014.9375
NLM
Guerreiro HA, Strixino FT, Chiquito AJ, Guimarães FEG, Pereira EC. Grazing angle photoluminescence of porous alumina as an analytical transducer for gaseous ethanol detection [Internet]. Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2014 ; 14( 9): 6653-6657.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1166/jnn.2014.9375
Vancouver
Guerreiro HA, Strixino FT, Chiquito AJ, Guimarães FEG, Pereira EC. Grazing angle photoluminescence of porous alumina as an analytical transducer for gaseous ethanol detection [Internet]. Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2014 ; 14( 9): 6653-6657.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1166/jnn.2014.9375
Artigo de periodico
Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)
Pusep, Yuri A.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Rodrigues, A. D.; Haapamaki, C. M.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 16, p. 164311-1-164311-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4803494. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Rodrigues, A. D., Haapamaki, C. M., & LaPierre, R. R. (2013). Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 16), 164311-1-164311-4. doi:10.1063/1.4803494
NLM
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Vancouver
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Artigo de periodico
Quantum oscillations of spin polarization in a 'GA''AS'/'AL''GA''AS' double quantum well (2012)
Santos, L Fernandes dos ; Pusep, Yuri A. ; Villegas-Lelovsky, L.; Lopez-Richard, V.; Marques, G. E.; Gusev, Guennadii Michailovich ; Smirnov, D.; Bakarov, A. K.
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SPIN, FOTOLUMINESCÊNCIA, POLARIZAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, L Fernandes dos et al. Quantum oscillations of spin polarization in a 'GA''AS'/'AL''GA''AS' double quantum well. Physical Review B, v. 86, n. 12, p. 125415-1-125415-7, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.125415. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Villegas-Lelovsky, L., Lopez-Richard, V., Marques, G. E., Gusev, G. M., et al. (2012). Quantum oscillations of spin polarization in a 'GA''AS'/'AL''GA''AS' double quantum well. Physical Review B, 86( 12), 125415-1-125415-7. doi:10.1103/PhysRevB.86.125415
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Quantum oscillations of spin polarization in a 'GA''AS'/'AL''GA''AS' double quantum well [Internet]. Physical Review B. 2012 ; 86( 12): 125415-1-125415-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.125415
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Quantum oscillations of spin polarization in a 'GA''AS'/'AL''GA''AS' double quantum well [Internet]. Physical Review B. 2012 ; 86( 12): 125415-1-125415-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.125415
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Trabalho de evento-anais periodico
Raman investigation of plasmon localization in GaAs/AlGaAs superlattices (2010)
Rodrigues, A. D.; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J. C.
Source: Vibrational Spectroscopy. Conference titles: Brazilian Meeting on Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DE PLASMAS, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, A. D. e PUSEP, Yuri A. e GALZERANI, J. C. Raman investigation of plasmon localization in GaAs/AlGaAs superlattices. Vibrational Spectroscopy. Amsterdam: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2010.10.003. Acesso em: 12 jul. 2024. , 2010
APA
Rodrigues, A. D., Pusep, Y. A., & Galzerani, J. C. (2010). Raman investigation of plasmon localization in GaAs/AlGaAs superlattices. Vibrational Spectroscopy. Amsterdam: Elsevier. doi:10.1016/j.vibspec.2010.10.003
NLM
Rodrigues AD, Pusep YA, Galzerani JC. Raman investigation of plasmon localization in GaAs/AlGaAs superlattices [Internet]. Vibrational Spectroscopy. 2010 ; No 2010( 2): 174-178.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2010.10.003
Vancouver
Rodrigues AD, Pusep YA, Galzerani JC. Raman investigation of plasmon localization in GaAs/AlGaAs superlattices [Internet]. Vibrational Spectroscopy. 2010 ; No 2010( 2): 174-178.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2010.10.003
Artigo de periodico
Pinning of spiral fluxons by giant screw dislocations in Y'BA IND.2''Cu IND.3''O IND. 7-'delta' single crystals: Josephson analog of the fishtail effect (2010)
Sergeenkov, S.; Cichetto Júnior, L.; Rivera, V. A. G.; Stari, C.; Marega Júnior, Euclydes; Cardoso, C. A.; Moreira, F. M. Araújo
Source: JETP Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, FILMES FINOS, MECANISMOS, MAGNETISMO (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SERGEENKOV, S. et al. Pinning of spiral fluxons by giant screw dislocations in Y'BA IND.2''Cu IND.3''O IND. 7-'delta' single crystals: Josephson analog of the fishtail effect. JETP Letters, v. 91, n. Ja 2010, p. 30-34, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1134/S0021364010010078. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Sergeenkov, S., Cichetto Júnior, L., Rivera, V. A. G., Stari, C., Marega Júnior, E., Cardoso, C. A., & Moreira, F. M. A. (2010). Pinning of spiral fluxons by giant screw dislocations in Y'BA IND.2''Cu IND.3''O IND. 7-'delta' single crystals: Josephson analog of the fishtail effect. JETP Letters, 91( Ja 2010), 30-34. doi:10.1134/S0021364010010078
NLM
Sergeenkov S, Cichetto Júnior L, Rivera VAG, Stari C, Marega Júnior E, Cardoso CA, Moreira FMA. Pinning of spiral fluxons by giant screw dislocations in Y'BA IND.2''Cu IND.3''O IND. 7-'delta' single crystals: Josephson analog of the fishtail effect [Internet]. JETP Letters. 2010 ; 91( Ja 2010): 30-34.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364010010078
Vancouver
Sergeenkov S, Cichetto Júnior L, Rivera VAG, Stari C, Marega Júnior E, Cardoso CA, Moreira FMA. Pinning of spiral fluxons by giant screw dislocations in Y'BA IND.2''Cu IND.3''O IND. 7-'delta' single crystals: Josephson analog of the fishtail effect [Internet]. JETP Letters. 2010 ; 91( Ja 2010): 30-34.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364010010078
Artigo de periodico
Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions (2010)
Sergeenkov, S.; Rivera, V. A. G.; Marega Júnior, Euclydes; Moreira, F. M. Araújo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, ELETROMAGNETISMO, ELETRODINÂMICA, ELETRICIDADE E ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SERGEENKOV, S. et al. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 9, p. 096102-1-096102-3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3407566. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Sergeenkov, S., Rivera, V. A. G., Marega Júnior, E., & Moreira, F. M. A. (2010). Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions. Journal of Applied Physics, 107( 9), 096102-1-096102-3. doi:10.1063/1.3407566
NLM
Sergeenkov S, Rivera VAG, Marega Júnior E, Moreira FMA. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 9): 096102-1-096102-3.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3407566
Vancouver
Sergeenkov S, Rivera VAG, Marega Júnior E, Moreira FMA. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 9): 096102-1-096102-3.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3407566
Artigo de periodico
Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields (2010)
Teodoro, M. D.; Campo Junior, V. L.; Lopez-Richard, V.; Marega Júnior, Euclydes; Marques, G. E.; Gobato, Y. Galvão; Iikawa, F.; Brasil, M. J. S. P.; AbuWaar, Z. Y.; Dorogan, V. G.; Mazur, Yu. I.; Benamara, M.; Salamo, G. J.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA MODERNA, CAMPO ELETROMAGNÉTICO, INTERFERÊNCIA ELETROMAGNÉTICA, ANÉIS, ÓPTICA (RECOMBINAÇÃO)
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields. Physical Review Letters, v. 104, n. 8, p. 086401-1-086401-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.086401. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Campo Junior, V. L., Lopez-Richard, V., Marega Júnior, E., Marques, G. E., Gobato, Y. G., et al. (2010). Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields. Physical Review Letters, 104( 8), 086401-1-086401-4. doi:10.1103/PhysRevLett.104.086401
NLM
Teodoro MD, Campo Junior VL, Lopez-Richard V, Marega Júnior E, Marques GE, Gobato YG, Iikawa F, Brasil MJSP, AbuWaar ZY, Dorogan VG, Mazur YI, Benamara M, Salamo GJ. Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields [Internet]. Physical Review Letters. 2010 ; 104( 8): 086401-1-086401-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.086401
Vancouver
Teodoro MD, Campo Junior VL, Lopez-Richard V, Marega Júnior E, Marques GE, Gobato YG, Iikawa F, Brasil MJSP, AbuWaar ZY, Dorogan VG, Mazur YI, Benamara M, Salamo GJ. Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields [Internet]. Physical Review Letters. 2010 ; 104( 8): 086401-1-086401-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.086401
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Active waveguide effects from porous anodic alumina: an optical sensor proposition (2010)
Strixino, F. Trivinho; Guerreiro, H. A.; Gomes, C. S.; Pereira, E. C.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SENSORES ÓPTICOS, NANOTECNOLOGIA, LUMINESCÊNCIA, POLARIZAÇÃO
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ABNT
STRIXINO, F. Trivinho et al. Active waveguide effects from porous anodic alumina: an optical sensor proposition. Applied Physics Letters, v. 97, n. 1, p. 11902-1-11902-3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3447375. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Strixino, F. T., Guerreiro, H. A., Gomes, C. S., Pereira, E. C., & Guimarães, F. E. G. (2010). Active waveguide effects from porous anodic alumina: an optical sensor proposition. Applied Physics Letters, 97( 1), 11902-1-11902-3. doi:10.1063/1.3447375
NLM
Strixino FT, Guerreiro HA, Gomes CS, Pereira EC, Guimarães FEG. Active waveguide effects from porous anodic alumina: an optical sensor proposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 97( 1): 11902-1-11902-3.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3447375
Vancouver
Strixino FT, Guerreiro HA, Gomes CS, Pereira EC, Guimarães FEG. Active waveguide effects from porous anodic alumina: an optical sensor proposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 97( 1): 11902-1-11902-3.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3447375
Artigo de periodico
Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions (2010)
Cesar, D. F.; Teodoro, M. D.; Tsuzuki, H.; Richard, V. Lopez; Marques, G. E.; Rino, J. P.; Lourenço, S. A.; Marega Júnior, Euclydes; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Salamo, G. J.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CESAR, D. F. et al. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, v. 81, n. Ju 2010, p. 233301-1-233301-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Cesar, D. F., Teodoro, M. D., Tsuzuki, H., Richard, V. L., Marques, G. E., Rino, J. P., et al. (2010). Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions. Physical Review B, 81( Ju 2010), 233301-1-233301-4. doi:10.1103/PhysRevB.81.233301
NLM
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Vancouver
Cesar DF, Teodoro MD, Tsuzuki H, Richard VL, Marques GE, Rino JP, Lourenço SA, Marega Júnior E, Dias IFL, Duarte JL, Borrero PPG, Salamo GJ. Contrasting LH-HH subband splitting of strained quantum wells grown along [001] and [113] directions [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( Ju 2010): 233301-1-233301-4.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.233301
Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Artigo de periodico
Manifestation of 'pi'-contacts in magnetic field dependence of I-V characteristics for proximity-type 2D Josephson junction array (2009)
Rivera, V. A. G.; Sergeenkov, S.; Marega Júnior, Euclydes; Moreira, F. M. Araújo
Source: Physics Letters A. Unidade: IFSC
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO (MANIFESTAÇÃO), VETORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIVERA, V. A. G. et al. Manifestation of 'pi'-contacts in magnetic field dependence of I-V characteristics for proximity-type 2D Josephson junction array. Physics Letters A, v. 374, n. 2, p. 376-379, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2009.11.010. Acesso em: 12 jul. 2024.
APA
Rivera, V. A. G., Sergeenkov, S., Marega Júnior, E., & Moreira, F. M. A. (2009). Manifestation of 'pi'-contacts in magnetic field dependence of I-V characteristics for proximity-type 2D Josephson junction array. Physics Letters A, 374( 2), 376-379. doi:10.1016/j.physleta.2009.11.010
NLM
Rivera VAG, Sergeenkov S, Marega Júnior E, Moreira FMA. Manifestation of 'pi'-contacts in magnetic field dependence of I-V characteristics for proximity-type 2D Josephson junction array [Internet]. Physics Letters A. 2009 ; 374( 2): 376-379.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2009.11.010
Vancouver
Rivera VAG, Sergeenkov S, Marega Júnior E, Moreira FMA. Manifestation of 'pi'-contacts in magnetic field dependence of I-V characteristics for proximity-type 2D Josephson junction array [Internet]. Physics Letters A. 2009 ; 374( 2): 376-379.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physleta.2009.11.010

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