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Artigo de periodico
Emission properties related to distinct phases of sol-gel dip-coating titanium dioxide, and carrier photo-excitation in different energy ranges (2017)
Ramos Jr, Roberto de Aguiar; Boratto, Miguel Henrique; Siu Li, Máximo ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade
Source: Materials Research. Unidade: IFSC
Subjects: TERRAS RARAS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SÍNTESE QUÍMICA
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ABNT
RAMOS JR, Roberto de Aguiar et al. Emission properties related to distinct phases of sol-gel dip-coating titanium dioxide, and carrier photo-excitation in different energy ranges. Materials Research, v. 20, n. 4, p. 866-873, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2016-0675. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Ramos Jr, R. de A., Boratto, M. H., Siu Li, M., & Scalvi, L. V. de A. (2017). Emission properties related to distinct phases of sol-gel dip-coating titanium dioxide, and carrier photo-excitation in different energy ranges. Materials Research, 20( 4), 866-873. doi:10.1590/1980-5373-MR-2016-0675
NLM
Ramos Jr R de A, Boratto MH, Siu Li M, Scalvi LV de A. Emission properties related to distinct phases of sol-gel dip-coating titanium dioxide, and carrier photo-excitation in different energy ranges [Internet]. Materials Research. 2017 ; 20( 4): 866-873.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2016-0675
Vancouver
Ramos Jr R de A, Boratto MH, Siu Li M, Scalvi LV de A. Emission properties related to distinct phases of sol-gel dip-coating titanium dioxide, and carrier photo-excitation in different energy ranges [Internet]. Materials Research. 2017 ; 20( 4): 866-873.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2016-0675
Trabalho de evento-resumo
Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 (2015)
Ramos Júnior, Roberto ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EP
Subjects: LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAMOS JÚNIOR, Roberto e SCALVI, Luis Vicente de Andrade e SIU LI, Máximo. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Ramos Júnior, R., Scalvi, L. V. de A., & Siu Li, M. (2015). Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
NLM
Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
Vancouver
Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M. Phase transition and luminescence in sol-gel TiO2 [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APJC
Trabalho de evento-resumo
Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction (2015)
Machado, Diego Henrique de Oliveira; Ramos Júnior, Roberto ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo ; Silva, José Humberto Dias da
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, EP
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MACHADO, Diego Henrique de Oliveira et al. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Machado, D. H. de O., Ramos Júnior, R., Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., & Silva, J. H. D. da. (2015). Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
NLM
Machado DH de O, Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M, Silva JHD da. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
Vancouver
Machado DH de O, Ramos Júnior R, Scalvi LV de A, Siu Li M, Silva JHD da. Electrical and structural properties of GaAs/SnO2 :1at%Ce3+ heterojunction [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APMA
Trabalho de evento-resumo
Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel (2006)
Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Morais, Evandro Augusto de; Ravaro, Leandro Piaggi; Siu Li, Máximo
Source: Final Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTÔNICA
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ABNT
SCALVI, Luis Vicente de Andrade et al. Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2006. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, L. V. de A., Morais, E. A. de, Ravaro, L. P., & Siu Li, M. (2006). Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel. In Final Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat.
NLM
Scalvi LV de A, Morais EA de, Ravaro LP, Siu Li M. Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel. Final Program. 2006 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Scalvi LV de A, Morais EA de, Ravaro LP, Siu Li M. Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel. Final Program. 2006 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Contribution of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films (2001)
Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Geraldo, Viviany; Messias, Fábio Rogério; Siu Li, Máximo ; Santilli, C V; Pulcinelli, Sandra Helena
Source: Radiation Effects and Defects in Solids. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, Luis Vicente de Andrade et al. Contribution of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. Radiation Effects and Defects in Solids, v. 156, n. 1-4, p. 145-149, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1080/10420150108216886. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, L. V. de A., Geraldo, V., Messias, F. R., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (2001). Contribution of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films. Radiation Effects and Defects in Solids, 156( 1-4), 145-149. doi:10.1080/10420150108216886
NLM
Scalvi LV de A, Geraldo V, Messias FR, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Contribution of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 2001 ;156( 1-4): 145-149.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420150108216886
Vancouver
Scalvi LV de A, Geraldo V, Messias FR, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Contribution of oxygen related defects to the electronic transport in Sn'O IND.2' sol-gel films [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 2001 ;156( 1-4): 145-149.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420150108216886
Trabalho de evento-resumo
Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2' (2001)
Morais, Evandro Augusto de; Siu Li, Máximo ; Geraldo, Viviany; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Ruggiero, Lígia de Oliveira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MORAIS, Evandro Augusto de et al. Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Morais, E. A. de, Siu Li, M., Geraldo, V., Scalvi, L. V. de A., & Ruggiero, L. de O. (2001). Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morais EA de, Siu Li M, Geraldo V, Scalvi LV de A, Ruggiero L de O. Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Morais EA de, Siu Li M, Geraldo V, Scalvi LV de A, Ruggiero L de O. Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Light-induced electric dipole relaxation in synthetic and natural alexandrite (2001)
Scalvi, Rosa Maria Fernandes; Siu Li, Máximo ; Ruggiero, Lígia de Oliveira; Scalvi, Luis Vicente de Andrade
Source: Radiation Effects and Defects in Solids. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, Rosa Maria Fernandes et al. Light-induced electric dipole relaxation in synthetic and natural alexandrite. Radiation Effects and Defects in Solids, v. 156, n. 1-4, p. 145-149, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1080/10420150108216908. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, R. M. F., Siu Li, M., Ruggiero, L. de O., & Scalvi, L. V. de A. (2001). Light-induced electric dipole relaxation in synthetic and natural alexandrite. Radiation Effects and Defects in Solids, 156( 1-4), 145-149. doi:10.1080/10420150108216908
NLM
Scalvi RMF, Siu Li M, Ruggiero L de O, Scalvi LV de A. Light-induced electric dipole relaxation in synthetic and natural alexandrite [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 2001 ;156( 1-4): 145-149.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420150108216908
Vancouver
Scalvi RMF, Siu Li M, Ruggiero L de O, Scalvi LV de A. Light-induced electric dipole relaxation in synthetic and natural alexandrite [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 2001 ;156( 1-4): 145-149.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420150108216908
Trabalho de evento-resumo
Efeito da adsorção de oxigênio para as propriedades de transporte eletrônico em Sn'O IND.2' obtido por sol-gel (2000)
Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Geraldo, Viviany; Messias, Fábio Rogério; Siu Li, Máximo ; Santilli, Celso Vatentim; Pulcinelli, Sandra Helena
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCALVI, Luis Vicente de Andrade et al. Efeito da adsorção de oxigênio para as propriedades de transporte eletrônico em Sn'O IND.2' obtido por sol-gel. 2000, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, L. V. de A., Geraldo, V., Messias, F. R., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (2000). Efeito da adsorção de oxigênio para as propriedades de transporte eletrônico em Sn'O IND.2' obtido por sol-gel. In Resumo. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Scalvi LV de A, Geraldo V, Messias FR, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Efeito da adsorção de oxigênio para as propriedades de transporte eletrônico em Sn'O IND.2' obtido por sol-gel. Resumo. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Scalvi LV de A, Geraldo V, Messias FR, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Efeito da adsorção de oxigênio para as propriedades de transporte eletrônico em Sn'O IND.2' obtido por sol-gel. Resumo. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva (2000)
Morais, E A; Ruggiero, Lígia de Oliveira; Siu Li, Máximo ; Scalvi, Luis Vicente de Andrade
Conference titles: Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, E A et al. Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva. 2000, Anais.. São Pedro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Morais, E. A., Ruggiero, L. de O., Siu Li, M., & Scalvi, L. V. de A. (2000). Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva. In . São Pedro: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Morais EA, Ruggiero L de O, Siu Li M, Scalvi LV de A. Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Morais EA, Ruggiero L de O, Siu Li M, Scalvi LV de A. Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Light-induced electric dipole relaxation in natural and synthetic alexandrite (2000)
Scalvi, Luís Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo ; Ruggiero, L. O.; Scalvi, Luis Vicente de Andrade
Source: Programme and abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Insulating Materials. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCALVI, Luís Vicente de Andrade et al. Light-induced electric dipole relaxation in natural and synthetic alexandrite. 2000, Anais.. Johannesburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., Ruggiero, L. O., & Scalvi, L. V. de A. (2000). Light-induced electric dipole relaxation in natural and synthetic alexandrite. In Programme and abstracts. Johannesburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Scalvi LV de A, Siu Li M, Ruggiero LO, Scalvi LV de A. Light-induced electric dipole relaxation in natural and synthetic alexandrite. Programme and abstracts. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Scalvi LV de A, Siu Li M, Ruggiero LO, Scalvi LV de A. Light-induced electric dipole relaxation in natural and synthetic alexandrite. Programme and abstracts. 2000 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of Sn'O IND.2' coatings prepared by sol-gel (1999)
Messias, Fábio Rogério; Vega, Bárbara A V; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo ; Santilli, C V; Pulcinelli, Sandra Helena
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MESSIAS, Fábio Rogério et al. Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of Sn'O IND.2' coatings prepared by sol-gel. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 247, p. 171-175, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(99)00085-x. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Messias, F. R., Vega, B. A. V., Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (1999). Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of Sn'O IND.2' coatings prepared by sol-gel. Journal of Non-Crystalline Solids, 247, 171-175. doi:10.1016/s0022-3093(99)00085-x
NLM
Messias FR, Vega BAV, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of Sn'O IND.2' coatings prepared by sol-gel [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1999 ;247 171-175.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(99)00085-x
Vancouver
Messias FR, Vega BAV, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of Sn'O IND.2' coatings prepared by sol-gel [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1999 ;247 171-175.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(99)00085-x
Artigo de periodico
Oxygen related defects excitation and photoconductivity dependence of Sn'O IND.2'sol-gel films with several light sources (1999)
Messias, Fábio Rogério; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo ; Santilli, C V; Pulcinelli, S H
Source: Radiation Effects and Defects in Solids. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MESSIAS, Fábio Rogério et al. Oxygen related defects excitation and photoconductivity dependence of Sn'O IND.2'sol-gel films with several light sources. Radiation Effects and Defects in Solids, v. 150, p. 391-395, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1080/10420159908226263. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Messias, F. R., Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (1999). Oxygen related defects excitation and photoconductivity dependence of Sn'O IND.2'sol-gel films with several light sources. Radiation Effects and Defects in Solids, 150, 391-395. doi:10.1080/10420159908226263
NLM
Messias FR, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Oxygen related defects excitation and photoconductivity dependence of Sn'O IND.2'sol-gel films with several light sources [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 1999 ;150 391-395.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420159908226263
Vancouver
Messias FR, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Oxygen related defects excitation and photoconductivity dependence of Sn'O IND.2'sol-gel films with several light sources [Internet]. Radiation Effects and Defects in Solids. 1999 ;150 391-395.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1080/10420159908226263
Artigo de periodico
Improved conductivity induced by photodesorption in Sn´O IND.2´ thin films grown by a sol-gel dip coating technique (1998)
Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Messias, Fábio Rogério; Souza, A. E.; Siu Li, Máximo ; Santilli, C V; Pulcinelli, Sandra Helena
Source: Journal of Sol-Gel Science and Technology. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCALVI, Luis Vicente de Andrade et al. Improved conductivity induced by photodesorption in Sn´O IND.2´ thin films grown by a sol-gel dip coating technique. Journal of Sol-Gel Science and Technology, v. 13, p. 793-798, 1998Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scalvi, L. V. de A., Messias, F. R., Souza, A. E., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (1998). Improved conductivity induced by photodesorption in Sn´O IND.2´ thin films grown by a sol-gel dip coating technique. Journal of Sol-Gel Science and Technology, 13, 793-798.
NLM
Scalvi LV de A, Messias FR, Souza AE, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Improved conductivity induced by photodesorption in Sn´O IND.2´ thin films grown by a sol-gel dip coating technique. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1998 ;13 793-798.[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Scalvi LV de A, Messias FR, Souza AE, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Improved conductivity induced by photodesorption in Sn´O IND.2´ thin films grown by a sol-gel dip coating technique. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1998 ;13 793-798.[citado 2024 nov. 15 ]
Dissertação (Mestrado)
Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais (1998)
Messias, Fábio Rogério; Scalvi, Luis Vicente de Andrade (Orientador); Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MESSIAS, Fábio Rogério. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Messias, F. R. (1998). Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
NLM
Messias FR. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais [Internet]. 1998 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
Vancouver
Messias FR. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais [Internet]. 1998 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
Trabalho de evento-resumo
Photodesorption and electron trapping in N-type Sn'O IND.2' thin films (1997)
Messias, F R; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Siu Li, Máximo ; Santilli, C V; Pulcinelli, Sandra Helena
Source: Proceedings. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MESSIAS, F R et al. Photodesorption and electron trapping in N-type Sn'O IND.2' thin films. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Messias, F. R., Scalvi, L. V. de A., Siu Li, M., Santilli, C. V., & Pulcinelli, S. H. (1997). Photodesorption and electron trapping in N-type Sn'O IND.2' thin films. In Proceedings. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Messias FR, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Photodesorption and electron trapping in N-type Sn'O IND.2' thin films. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Messias FR, Scalvi LV de A, Siu Li M, Santilli CV, Pulcinelli SH. Photodesorption and electron trapping in N-type Sn'O IND.2' thin films. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Temperature dependence on photo-induced effects on n-type Al IND.X''Ga IND.1-X'As (1997)
Taquecita, M H; Scalvi, Luis Vicente de Andrade; Oliveira, L.; Siu Li, Máximo
Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
TAQUECITA, M H et al. Temperature dependence on photo-induced effects on n-type Al IND.X''Ga IND.1-X'As. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Taquecita, M. H., Scalvi, L. V. de A., Oliveira, L., & Siu Li, M. (1997). Temperature dependence on photo-induced effects on n-type Al IND.X''Ga IND.1-X'As. In . Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Taquecita MH, Scalvi LV de A, Oliveira L, Siu Li M. Temperature dependence on photo-induced effects on n-type Al IND.X''Ga IND.1-X'As. 1997 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Taquecita MH, Scalvi LV de A, Oliveira L, Siu Li M. Temperature dependence on photo-induced effects on n-type Al IND.X''Ga IND.1-X'As. 1997 ;[citado 2024 nov. 15 ]

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