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Editor de periodico
EURASIP Journal on Applied Signal Processing (2002)
Ray Liu, K. J. (Editor); Costa, Luciano da Fontoura (Editor)
Unidade: IFSC
Subjects: PROCESSAMENTO DE IMAGENS, ALGORITMOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
EURASIP Journal on Applied Signal Processing. . Akron: Hindawi. . Acesso em: 15 nov. 2024. , 2002
APA
EURASIP Journal on Applied Signal Processing. (2002). EURASIP Journal on Applied Signal Processing. Akron: Hindawi.
NLM
EURASIP Journal on Applied Signal Processing. 2002 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
EURASIP Journal on Applied Signal Processing. 2002 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 23, p. 5813-5827, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 23), 5813-5827. doi:10.1088/0953-8984/14/23/312
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 23): 5813-5827.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 23): 5813-5827.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312
Curadoria
Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2 (2002)
Sipahi, Guilherme Matos
Unidade: IFSC
Subjects: PROFISSÕES, FEIRAS
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2. . São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. . Acesso em: 15 nov. 2024. , 2002
APA
Sipahi, G. M. (2002). Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP.
NLM
Sipahi GM. Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2. 2002 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Sipahi GM. Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2. 2002 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells (2002)
Noriega, O. C.; Leite, J. R.; Meneses, E. A.; Soares, J. A. N. T.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos ; Köhler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K.
Source: Physica Status Solidi C. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors - IWM. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
NORIEGA, O. C. et al. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105. Acesso em: 15 nov. 2024. , 2002
APA
Noriega, O. C., Leite, J. R., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., et al. (2002). Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. doi:10.1002/pssc.200390105
NLM
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Vancouver
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105

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