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  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF

    Assunto: FÉRMIO

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    • ABNT

      KAWAHALA, Nícolas Massarico et al. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Kawahala, N. M., Gusev, G. M., Hernandez, F. G. G., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2022). Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Kawahala NM, Gusev GM, Hernandez FGG, Raichev OE, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 26 ]
    • Vancouver

      Kawahala NM, Gusev GM, Hernandez FGG, Raichev OE, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 26 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF

    Assunto: TERMOELETRICIDADE

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    • ABNT

      LEVIN, A D et al. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Levin, A. D., Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2022). Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Levin AD, Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 26 ]
    • Vancouver

      Levin AD, Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. Resumos. 2022 ;[citado 2024 jul. 26 ]
  • Source: Scientific Reports. Unidade: IF

    Assunto: POÇOS QUANTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FERREIRA, G J et al. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells. Scientific Reports, v. 12, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Ferreira, G. J., Candido, D. R., Hernandez, F. G. G., Gusev, G., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky , S. A. (2022). Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells. Scientific Reports, 12. doi:10.1038/s41598-022-06431-0
    • NLM

      Ferreira GJ, Candido DR, Hernandez FGG, Gusev G, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells [Internet]. Scientific Reports. 2022 ; 12[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0
    • Vancouver

      Ferreira GJ, Candido DR, Hernandez FGG, Gusev G, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells [Internet]. Scientific Reports. 2022 ; 12[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0
  • Source: JETP Letters. Unidade: IF

    Assunto: POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      YAROSHEVICH, A S et al. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well. JETP Letters, v. 111, n. 2, p. 121–125, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., & Mikhailov, N. N. (2020). Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well. JETP Letters, 111( 2), 121–125. doi:10.1134/S0021364020020113
    • NLM

      Yaroshevich AS, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well [Internet]. JETP Letters. 2020 ;111( 2): 121–125.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113
    • Vancouver

      Yaroshevich AS, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well [Internet]. JETP Letters. 2020 ;111( 2): 121–125.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113
  • Source: Physics Uspekhi. Unidade: IF

    Assunto: POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      KVON, Z D et al. Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, v. 63, n. 7, p. 629-647, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Gusev, G. M., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2020). Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, 63( 7), 629-647. doi:10.3367/UFNe.2019.10.038669
    • NLM

      Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
    • Vancouver

      Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
  • Source: Microelectronic Engineering. Unidade: IF

    Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RAHIM, Abdur et al. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, v. 206, p. 55-59, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Rahim, A., Gusev, G. M., Kvonc, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, 206, 55-59. doi:10.1016/j.mee.2018.12.011
    • NLM

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
    • Vancouver

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
  • Source: 2D Materials. Unidade: IF

    Subjects: TERMOELETRICIDADE, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUSEV, G M et al. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well. 2D Materials, v. 6, n. 014001, p. 1-21, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well. 2D Materials, 6( 014001), 1-21. doi:10.1088/2053-1583/aaf702
    • NLM

      Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well [Internet]. 2D Materials. 2019 ; 6( 014001): 1-21.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702
    • Vancouver

      Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well [Internet]. 2D Materials. 2019 ; 6( 014001): 1-21.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, v. 96, n. 4, p. 045304/1-045304/5, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304. Acesso em: 26 jul. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2017). Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, 96( 4), 045304/1-045304/5. doi:10.1103/PhysRevB.96.045304
    • NLM

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
    • Vancouver

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304

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