Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature (2021)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, TIAGO FIORINI DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/1980-5373-MR-2021-0052
- Subjects: FÍSICA NUCLEAR; FILMES FINOS; ZINCO; CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
- Keywords: ZnO; Al thin films; TCO; morphological properties
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Castle
- Date published: 2021
- Source:
- Título: American Journal of Materials Science and Engineering
- ISSN: 2333-4665
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 24, n. 1, número do artigo: e20210052
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RAMOS, Raul et al. Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature. American Journal of Materials Science and Engineering, v. 24, n. 1, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2021-0052. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Ramos, R., Chaves, M., Martins, E., Durrant, S. F., Rangel, E. C., Silva, T. F. da, & Bortoleto, J. R. R. (2021). Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature. American Journal of Materials Science and Engineering, 24( 1). doi:10.1590/1980-5373-MR-2021-0052 -
NLM
Ramos R, Chaves M, Martins E, Durrant SF, Rangel EC, Silva TF da, Bortoleto JRR. Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature [Internet]. American Journal of Materials Science and Engineering. 2021 ; 24( 1):[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2021-0052 -
Vancouver
Ramos R, Chaves M, Martins E, Durrant SF, Rangel EC, Silva TF da, Bortoleto JRR. Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature [Internet]. American Journal of Materials Science and Engineering. 2021 ; 24( 1):[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2021-0052 - Início de operação e caracterização do sistema injetor do Mícrotron do IFUSP
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Informações sobre o DOI: 10.1590/1980-5373-MR-2021-0052 (Fonte: oaDOI API)
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