(1011) preferential orientation of polycrystalline 'AL''N' grown on 'SI''O' IND. 2'/'SI' wafers by reactive sputter magnetron technique (2016)
- Authors:
- Autor USP: CRAIEVICH, ALDO FELIX - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1051/epjap/2016150446
- Subjects: RAIOS X; SILÍCIO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Les Ulis Cedex A
- Date published: 2016
- Source:
- Título do periódico: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 74, n. 1, p. 10301, abr.2016
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BURGI, Juan et al. (1011) preferential orientation of polycrystalline 'AL''N' grown on 'SI''O' IND. 2'/'SI' wafers by reactive sputter magnetron technique. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, v. 74, n. 1, p. 10301, 2016Tradução . . Disponível em: http://www.epjap.org/articles/epjap/abs/2016/04/ap150446/ap150446.html. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Burgi, J., Garcia Molleja, J., Bolmaro, R., Piccoli, M., Bemporad, E., Feugeas, J., & Craievich, A. F. (2016). (1011) preferential orientation of polycrystalline 'AL''N' grown on 'SI''O' IND. 2'/'SI' wafers by reactive sputter magnetron technique. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 74( 1), 10301. doi:10.1051/epjap/2016150446 -
NLM
Burgi J, Garcia Molleja J, Bolmaro R, Piccoli M, Bemporad E, Feugeas J, Craievich AF. (1011) preferential orientation of polycrystalline 'AL''N' grown on 'SI''O' IND. 2'/'SI' wafers by reactive sputter magnetron technique [Internet]. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS. 2016 ; 74( 1): 10301.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.epjap.org/articles/epjap/abs/2016/04/ap150446/ap150446.html -
Vancouver
Burgi J, Garcia Molleja J, Bolmaro R, Piccoli M, Bemporad E, Feugeas J, Craievich AF. (1011) preferential orientation of polycrystalline 'AL''N' grown on 'SI''O' IND. 2'/'SI' wafers by reactive sputter magnetron technique [Internet]. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS. 2016 ; 74( 1): 10301.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.epjap.org/articles/epjap/abs/2016/04/ap150446/ap150446.html - Aggregation kinetics and structure of precusor solutions and gels of zirconia under defferent preparation conditions
- Small-angle x-ray scattering measurements of crystallization in methyl-substituted poly(aryl ether ether ketone)
- Formation and growth of semiconductor PbTe nanocrystals in a borosilicate glass matrix
- Saxs study of growth kinetics of fractal aggregates in teos-water-alcohol solutions with formamide
- Monocromador de cristal curvo para a estacao de espalhamento de raios-x a baixo angulo do lnls
- Caracterizacao por saxs das etapas de agregacao e envelhecimento de xerogeis
- Projeto de mestacao experimental para espalhamento e difracao de raios-x a baixos angulos no lnls
- Laboratorio nacional de luz sincrotron e a sua interacao com grupos de futuros usuarios
- Estudo por saxs da influencia do conteudo de 'CD' e da dose de 'SE' na formacao de microcristais de cdse em xerogeis de silica
- Laboratorio nacional de luz sincrotron status report
Informações sobre o DOI: 10.1051/epjap/2016150446 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
Tipo | Nome | Link | |
---|---|---|---|
ap150446.pdf |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas