Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, MARCELO DE ASSUMPCAO PEREIRA DA - IFSC ; ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.3520661
- Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN; MAGNETISMO (PROPRIEDADES); FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, Dec. 2010
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
FERRI, F. A. et al. Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 11, p. 113922-1-113922-5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3520661. Acesso em: 23 fev. 2026. -
APA
Ferri, F. A., Silva, M. de A. P. da, Zanatta, A. R., Varella, A. L. S., & Oliveira, A. J. A. (2010). Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films. Journal of Applied Physics, 108( 11), 113922-1-113922-5. doi:10.1063/1.3520661 -
NLM
Ferri FA, Silva M de AP da, Zanatta AR, Varella ALS, Oliveira AJA. Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 11): 113922-1-113922-5.[citado 2026 fev. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3520661 -
Vancouver
Ferri FA, Silva M de AP da, Zanatta AR, Varella ALS, Oliveira AJA. Effect of Mn concentration and atomic structure on the magnetic properties of Ge thin films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 11): 113922-1-113922-5.[citado 2026 fev. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3520661 - Development of the Mn'Si IND. 1.7' phase in Mn-containing Si films
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.3520661 (Fonte: oaDOI API)
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