Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas (2009)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES (ESTUDO); MECÂNICA QUÂNTICA; SPIN
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - USP
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2009
- Source:
- Título: Caderno de Resumos
- Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC
-
ABNT
SOUZA, Claudinei Caetano de e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 12 nov. 2024. -
APA
Souza, C. C. de, & Sipahi, G. M. (2009). Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP. -
NLM
Souza CC de, Sipahi GM. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 12 ] -
Vancouver
Souza CC de, Sipahi GM. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 12 ] - Theoretical luminescence spectra from spin-polarized diluted magnetic semiconductor heterostructures
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2
- Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN
- Spin polarization of Co(0001)/graphene junctions from first principles
- Magnetic field effects and nodal ground states in InP nanowires
- Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende
- Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico
- Optical properties calculations in nitrides heterostructures
- Simulaçãodepropriedades eletrônicas de HEMTs
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas