Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas (2009)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES (ESTUDO); MECÂNICA QUÂNTICA; SPIN
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - USP
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2009
- Source:
- Título do periódico: Caderno de Resumos
- Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC
-
ABNT
SOUZA, Claudinei Caetano de e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Souza, C. C. de, & Sipahi, G. M. (2009). Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP. -
NLM
Souza CC de, Sipahi GM. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 25 ] -
Vancouver
Souza CC de, Sipahi GM. Cálculo de estrutura de bandas usando modelo de Kane 14 bandas. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 25 ] - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
- Simulaçãodepropriedades eletrônicas de HEMTs
- Programação paralela de alto desempenho em placas de vídeo
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Desenvolvimento de Interface WEB para visualização de resultados científicos
- Estudo de ligas quartenárias de nitretos para aplicações em dispositivos de luz branca
- Estudo dos efeitos de confinamento adicional ao potencial total em semicondutores ferromagnéticos diluídos baseados em GeMn
- Cálculo de espectros de luminescência de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade
- Optical properties calculations in nitrides heterostructures
- Exchange-correlation parametrizations effects in DMS: (Zn, Co)O and (Ga,Mn)As
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
