Influence of interlayer tunneling on the quantized Hall phases in intentionally disordered multilayer structures (2009)
- Authors:
- USP affiliated authors: POUSSEP, IOURI - IFSC ; ARAKAKI, HAROLDO - IFSC ; SOUZA, CARLOS ALBERTO DE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1088/0953-8984/21/20/205501
- Subjects: SEMICONDUTIVIDADE; CAMPO MAGNÉTICO; SEMICONDUTORES; DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE; EFEITO HALL
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Physics: Condensed Matter
- ISSN: 0953-8984
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 21, n. 20, p. 205501-1-205501-7, May 2009
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Influence of interlayer tunneling on the quantized Hall phases in intentionally disordered multilayer structures. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 21, n. 20, p. 205501-1-205501-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/20/205501. Acesso em: 10 abr. 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Rodriguez, A., Arakaki, H., & Souza, C. A. de. (2009). Influence of interlayer tunneling on the quantized Hall phases in intentionally disordered multilayer structures. Journal of Physics: Condensed Matter, 21( 20), 205501-1-205501-7. doi:10.1088/0953-8984/21/20/205501 -
NLM
Pusep YA, Rodriguez A, Arakaki H, Souza CA de. Influence of interlayer tunneling on the quantized Hall phases in intentionally disordered multilayer structures [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2009 ; 21( 20): 205501-1-205501-7.[citado 2026 abr. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/20/205501 -
Vancouver
Pusep YA, Rodriguez A, Arakaki H, Souza CA de. Influence of interlayer tunneling on the quantized Hall phases in intentionally disordered multilayer structures [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2009 ; 21( 20): 205501-1-205501-7.[citado 2026 abr. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/20/205501 - Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires
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