Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions (2007)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0957-4484/18/29/295706
- Assunto: NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Nanotechnology
- ISSN: 0957-4484
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 18, n. 29, p.295706/1-295706/6, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, v. 18, n. 29, p. 295706/1-295706/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions. Nanotechnology, 18( 29), 295706/1-295706/6. doi:10.1088/0957-4484/18/29/295706 -
NLM
Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706 -
Vancouver
Arantes Junior JT, Fazzio A. Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions [Internet]. Nanotechnology. 2007 ; 18( 29): 295706/1-295706/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/29/295706 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
- Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'
- Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'
- Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan
- Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation
- Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin
Informações sobre o DOI: 10.1088/0957-4484/18/29/295706 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas