Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films (2005)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN; FILMES FINOS; ALUMÍNIO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Wiley-VCH Verlag GmbH
- Publisher place: Weinheim
- Date published: 2005
- Source:
- Título: Physica Status Solidi C
- ISSN: 1610-1634
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 2, n. 10, p. 3750-3753, 2005
- Conference titles: Latin American Symposium on Solid State Physics
-
ABNT
FAJARDO, F. e ZANATTA, Antonio Ricardo e CHAMBOULEYRON, I. Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. . Acesso em: 19 fev. 2026. , 2005 -
APA
Fajardo, F., Zanatta, A. R., & Chambouleyron, I. (2005). Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. -
NLM
Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films. Physica Status Solidi C. 2005 ; 2( 10): 3750-3753.[citado 2026 fev. 19 ] -
Vancouver
Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge: H thin films. Physica Status Solidi C. 2005 ; 2( 10): 3750-3753.[citado 2026 fev. 19 ] - Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
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