A microeletrônica a serviço da sociedade (2004)
- Autor:
- Autor USP: FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Assunto: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: O texto sistemático descreve de forma comentada as atividades de pesquisa do candidato na área de materiais para microeletrônica e sua aplicação no desenvolvimento de dispositivos semicondutores e sensores. Também descreve as atividades de ensino de graduação e pós-graduação, finalizando com a descrição das atividades de cultura e extensão. As atividades, que se desenvolveram no período de 1983 a 2003, incluíram a pesquisa e o desenvolvimento de técnicas de deposição por processos químicos a partir da fase de vapor de películas de silício amorfo hidrogenado não dopado e dopado com fósforo e boro, na fase de vapor e por implantação iônica, e de sua liga com nitrogênio. Houve a preocupação de buscar técnicas e ou materiais que possibilitassem o desenvolvimento de dispositivos para novas áreas de aplicação. O fio condutor destes vinte anos de atividades foi o desenvolvimento de dispositivos não convencionais, em silício ou novos materiais, utilizando técnicas tradicionais na microeletrônica que propiciassem não só o desenvolvimento da atividade de pesquisa, como o desenvolvimento de dispositivos e estudos demandados pela sociedade brasileira. O candidato participou com o apoio de órgãos de fomento (FIPEC - Banco do Brasil, OEA, INPE, FAPESP e CNPq) e de empresas (Prológica, Eletropaulo, CESP, CPFL e CTEEP) a nível institucional no Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) e no Instituto de Eletrotécnica eEnergia (IEE) da USP em projetos de pesquisa. As atividades de ensino de Graduação passaram a ser exercidas oficialmente a partir de 1987 e as de ensino de Pós-Graduação a partir de 1995. Quanto à Graduação foram ministradas disciplinas do 2º ao 5º ano, laboratoriais e teóricas, obrigatórias e eletivas. Atividades no Programa de Tutoria e na Comissão de Relações Internacionais complementam as atividades de Graduação. ) Quanto à Pós-Graduação foi ministrada várias vezes, com um aperfeiçoamento contínuo, uma disciplina que teve de 3 a 22 alunos, no seu último oferecimento até a confecção deste texto. A experiência didática obtida nesta disciplina gerou uma nova disciplina que foi somada ao Programa de Pós-Graduação a partir de 2004. As atividades de Cultura e Extensão tiveram seu início explícito e organizado a partir de 1999 na Comissão de Direitos Humanos da Universidade de São Paulo. O que percorre este trabalho e o une é a vontade de buscar uma tecnologia que não tem razão em si própria nem na busca de índices de méritos impostos pela sociedade científica. Um aperfeiçoamento contínuo das metodologias de ensino que levem em conta um ser humano que quer ser feliz trabalhando na Engenharia Eletrônica. Nestes 20 anos o candidato comprovou que é possível ser feliz mesmo trabalho no árduo mundo da ciência e da tecnologia se no meio de tudo existe uma razão de viver mais forte do que o dinheiro, o prestígio e o poder. É possível ser feliz quando se compreendeque a vida vai além destes poucos anos que permanecemos juntos. Que a vida pode ser eterna e começa sendo bem vivida agora. Com esta tecnologia e com estas dificuldades. Nesta escola e nesta cidade, porque assim eu as escolhi. Busquei e buscarei sempre uma tecnologia e uma ciência que tem alma, que não é neutra e por não ser neutra, escolhe o ser humano, a sociedade e vida com Cristo
- Imprenta:
- Data da defesa: 30.06.2004
-
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti. A microeletrônica a serviço da sociedade. 2004. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 06 nov. 2024. -
APA
Fonseca, F. J. (2004). A microeletrônica a serviço da sociedade (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Fonseca FJ. A microeletrônica a serviço da sociedade. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] -
Vancouver
Fonseca FJ. A microeletrônica a serviço da sociedade. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] - Efeito do recozimento termico em peliculas de a-'SI': h dopadas por implantacao ionica
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