Tese

Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado (1994)

• Authors:
  • Fonseca, Fernando Josepetti
  • Andrade, Adnei Melges de (Orientador)
• Autor USP: FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PEE
• Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
• Language: Português
• Abstract: Com o objetivo de melhor entender os processos de dopagem por implantação iônica de dopantes substitucionais e intersticiais, foram estudadas as propriedades eletro-ópticas de películas de Si : H-A implantadas com fósforo, potássio e silício. As películas foram depositadas em diferentes reatores do tipo PECVD, implantadas a temperatura ambiente e posteriormente recozidas. Em função da temperatura de recozimento mediu-se a condutividade no escuro, o produto ETA-MU-TAL, a energia de ativação e o fator pré-exponencial da condutividade. A variação da condutividade em função da temperatura de recozimento foi atribuída ao deslocamento do nível de FERMI. Confirmou-se a maior eficiência de dopagem do k com respeito ao P, tendo sido obtidas diferenças de duas a quatro ordens de grandeza no valor da condutividade de películas implantadas com os dois dopantes. Verificou-se que a melhor temperatura de recozimento independe da temperatura de deposição das amostras não dopadas numa grande faixa de concentração de dopantes. A temperatura ótima é cerca de 340°C e se mostra válida para os dois tipos de dopantes estudados. Para doses elevadas, a melhor temperatura de recozimento é cerca de 260°C e os danos introduzidos pela implantação não são totalmente recuperados através de tratamento térmico.
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 1994
• Data da defesa: 16.11.1994


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How to cite

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• ABNT

  FONSECA, Fernando Josepetti. Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16072024-110709/pt-br.php. Acesso em: 20 fev. 2026.

• APA

  Fonseca, F. J. (1994). Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16072024-110709/pt-br.php

• NLM

  Fonseca FJ. Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado [Internet]. 1994 ;[citado 2026 fev. 20 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16072024-110709/pt-br.php

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  Fonseca FJ. Contribuição à utilização da implantação iônica de fósforo e potássio na dopagem do silício amorfo hidrogenado [Internet]. 1994 ;[citado 2026 fev. 20 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16072024-110709/pt-br.php

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