'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface (2004)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; PROPRIEDADES COLIGATIVAS; NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Programação
- Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica
-
ABNT
SILVA, Ivana Zanella da e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0116-1.pdf. Acesso em: 16 fev. 2026. -
APA
Silva, I. Z. da, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0116-1.pdf -
NLM
Silva IZ da, Silva AJR da, Fazzio A. 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2026 fev. 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0116-1.pdf -
Vancouver
Silva IZ da, Silva AJR da, Fazzio A. 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2026 fev. 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0116-1.pdf - Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2'
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