Elementary excitations of modulation-doped quantum-wells (2004)
- Authors:
- USP affiliated author: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- School: IF
- Subject: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
ANJOS, V et al. Elementary excitations of modulation-doped quantum-wells. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0553-3.pdf. Acesso em: 01 jul. 2022. -
APA
Anjos, V., Bell, M. J. V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2004). Elementary excitations of modulation-doped quantum-wells. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0553-3.pdf -
NLM
Anjos V, Bell MJV, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Elementary excitations of modulation-doped quantum-wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2022 jul. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0553-3.pdf -
Vancouver
Anjos V, Bell MJV, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Elementary excitations of modulation-doped quantum-wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2022 jul. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0553-3.pdf - Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase
- Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages
- Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase
- Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate
- Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
- Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping
- Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
