MBE growth and characterization of 'Sn IND.1-X' 'Eu IND.X' Te (2003)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA JUNIOR, NEI FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- Subjects: EFEITO MOSSBAUER; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Book of Abstract
- Volume/Número/Paginação/Ano: Fortaleza : DF/UFC, 2003
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
-
ABNT
UETA, A Y et al. MBE growth and characterization of 'Sn IND.1-X' 'Eu IND.X' Te. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 14 out. 2024. -
APA
Ueta, A. Y., Rappl, P. H. O., Closs, H., Abramof, E., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., et al. (2003). MBE growth and characterization of 'Sn IND.1-X' 'Eu IND.X' Te. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC. -
NLM
Ueta AY, Rappl PHO, Closs H, Abramof E, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Junior NF, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND.1-X' 'Eu IND.X' Te. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 14 ] -
Vancouver
Ueta AY, Rappl PHO, Closs H, Abramof E, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Junior NF, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND.1-X' 'Eu IND.X' Te. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 14 ] - Localization and anti-localization in p-type 'Pb IND.1-X' 'Eu IND.X' Te
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