Magnetoresistance and hall effect near the metal-insulator transition of n-type 'CD 0,95''MN 0,05''TE' (1990)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA JUNIOR, NEI FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.41, n.9 , p.5931-41, 1990
-
ABNT
SHAPIRA, Y et al. Magnetoresistance and hall effect near the metal-insulator transition of n-type 'CD 0,95''MN 0,05''TE'. Physical Review B, v. 41, n. 9 , p. 5931-41, 1990Tradução . . Acesso em: 07 abr. 2026. -
APA
Shapira, Y., Oliveira Junior, N. F. de, Becla, P., & Vu, T. Q. (1990). Magnetoresistance and hall effect near the metal-insulator transition of n-type 'CD 0,95''MN 0,05''TE'. Physical Review B, 41( 9 ), 5931-41. -
NLM
Shapira Y, Oliveira Junior NF de, Becla P, Vu TQ. Magnetoresistance and hall effect near the metal-insulator transition of n-type 'CD 0,95''MN 0,05''TE'. Physical Review B. 1990 ;41( 9 ): 5931-41.[citado 2026 abr. 07 ] -
Vancouver
Shapira Y, Oliveira Junior NF de, Becla P, Vu TQ. Magnetoresistance and hall effect near the metal-insulator transition of n-type 'CD 0,95''MN 0,05''TE'. Physical Review B. 1990 ;41( 9 ): 5931-41.[citado 2026 abr. 07 ] - MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te
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