On the morphology of films grown by droplet-assisted molecular beam epitaxy (2002)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332002000200043
- Subjects: SEMICONDUTIVIDADE; FILMES FINOS (ESTRUTURA)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 32, n. 2A, p. 399-401, 2002
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
LAMAS, T. E. e QUIVY, Alain André. On the morphology of films grown by droplet-assisted molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 399-401, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200043. Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2002). On the morphology of films grown by droplet-assisted molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 399-401. doi:10.1590/s0103-97332002000200043 -
NLM
Lamas TE, Quivy AA. On the morphology of films grown by droplet-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 399-401.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200043 -
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. On the morphology of films grown by droplet-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 399-401.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200043 - Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97332002000200043 (Fonte: oaDOI API)
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