Tese

Análise das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de 'alfa'- 'Si IND.1-X' 'C IND.X':H depositados por PECVD (2001)

• Authors:
  • Prado, Rogério Junqueira
  • Fantini, Márcia Carvalho de Abreu (Orientador)
• Autor USP: PRADO, ROGÉRIO JUNQUEIRA - IF
• Unidade: IF
• Sigla do Departamento: FAP
• Subjects: FÍSICA; FILMES FINOS
• Language: Português
• Abstract: Nesta tese discorremos sobre crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado ('alfa'- 'Si IND.X' 'C IND.X': H) crescidos por deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD). Os filmes foram depositados a partir de misturas de silano, metano e hidrogênio, no regime de plasma faminto por silano. Amostras depositadas nessas condições possuem uma maior concentração de ligações Si-C, ou seja, melhor coordenação entre átomos de Si e C, com menor quantidade de ligações C-'H IND.n' e Si-H, apresentando um conteúdo de hidrogênio da ordem de 20 at.%, e baixa densidade de poros. Foram analisadas e correlacionadas diversas propriedades dos filmes depositados, explorando-se a potência de rf e a diluição da mistura gasosa em hidrogênio, de forma a melhorar a ordem química, estrurural e morfológica na fase sólida. A composição dos filmes foi determinada por retroespalhamento de Rutherford e espectrometria de recuo frontal. Enfatizou-se a análise dos diferentes tipos de ligações químicas existentes no material por espectrometria no infravermelho por transformada de Fourier, o estudo das propriedades estruturais por espectroscopia de absorção de raios X na borda K do silício, e das propriedades morfológicas analisando-se os perfis de espalhamento de raios X a baixo ângulo para diferentes ligas depositadas. Foram também realizadas medidas de dureza e de microscopia eletrônica para uma amostra estequiométrica, de forma acomplementar os demais dados obtidos. Filmes estequiométricos depositados nessas condições apresentam entre 80 e 90 % do total de suas ligações entre átomos de Si e C e dureza Vickers de 33 GPa. Tratamentos térmicos entre '600 GRAUS CENTRIGRADOS' e '1000 GRAUS CENTIGRADOS', realizados em atmosfera inerte de 'N IND.2', mostraram que filmes estequiométricos são mais estáveis frente à absorção de oxigênio
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2001
• Data da defesa: 19.10.2001


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How to cite

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• ABNT

  PRADO, Rogério Junqueira. Análise das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de 'alfa'- 'Si IND.1-X' 'C IND.X':H depositados por PECVD. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062002-122853/. Acesso em: 02 out. 2024.

• APA

  Prado, R. J. (2001). Análise das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de 'alfa'- 'Si IND.1-X' 'C IND.X':H depositados por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062002-122853/

• NLM

  Prado RJ. Análise das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de 'alfa'- 'Si IND.1-X' 'C IND.X':H depositados por PECVD [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062002-122853/

• Vancouver

  Prado RJ. Análise das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de 'alfa'- 'Si IND.1-X' 'C IND.X':H depositados por PECVD [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062002-122853/

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