Tese

Construção e caracterização de diodos 'n POT. +'p com contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' (2001)

• Authors:
  • Reis, Ronaldo Willian
  • Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
• Autor USP: REIS, RONALDO WILLIAN - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PTC
• Assunto: DIODOS
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' sobre junções rasas 'n POT. +'p com 0,5 'MICROMETROS' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.'10 POT. -8' 'OHM'cm2 (áreas de (200 x 200) 'MICROMETROS'). O processo térmico (T = 900 'GRAUS'C e t = 75 min) para obtenção das junções 'n POT. +'p com profundidade de 0,5 'MICROMETROS' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti'Si IND. 2' formados em duas etapas (700'GRAUS'C e 900'GRAUS'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti'Si IND. 2'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS 'APROXIMADAMENTE' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p 'APROXIMADAMENTE' 15 'MICROM''OHM'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti'Si IND. 2'-C54 previamente ativados em solução de paládio ('H IND. 2'O/HF/Pd'Cl IND. 2'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti'Si IND. 2'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS 'APROXIMADAMENTE' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS 'APROXIMADAMENTE' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes deníquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de 'APROXIMADAMENTE' 0,5 'OHM''POR QUADRADO' para espessuras de 300 nm (p 'APROXIMADAMENTE' 15 'MICROM''OHM'cm).
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2001
• Data da defesa: 17.04.2001


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How to cite

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• ABNT

  REIS, Ronaldo Willian. Construção e caracterização de diodos 'n POT. +'p com contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2'. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/pt-br.php. Acesso em: 14 out. 2024.

• APA

  Reis, R. W. (2001). Construção e caracterização de diodos 'n POT. +'p com contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/pt-br.php

• NLM

  Reis RW. Construção e caracterização de diodos 'n POT. +'p com contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/pt-br.php

• Vancouver

  Reis RW. Construção e caracterização de diodos 'n POT. +'p com contatos Al/Ni/Ti'Si IND. 2' [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/pt-br.php

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