Efeito fotovoltaico e fotocondutividade em dispositivos poliméricos (2000)
- Authors:
- USP affiliated authors: ONMORI, ROBERTO KOJI - EP ; DIRANI, ELY ANTONIO TADEU - EP ; FARIA, ROBERTO MENDONCA - IFSC
- Unidades: EP; IFSC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2000
- Source:
- Título: Resumo
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
OLIVATI, Clarissa de Almeida et al. Efeito fotovoltaico e fotocondutividade em dispositivos poliméricos. 2000, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2000. . Acesso em: 02 out. 2024. -
APA
Olivati, C. de A., Onmori, R. K., Dirani, E. A. T., & Faria, R. M. (2000). Efeito fotovoltaico e fotocondutividade em dispositivos poliméricos. In Resumo. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Olivati C de A, Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM. Efeito fotovoltaico e fotocondutividade em dispositivos poliméricos. Resumo. 2000 ;[citado 2024 out. 02 ] -
Vancouver
Olivati C de A, Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM. Efeito fotovoltaico e fotocondutividade em dispositivos poliméricos. Resumo. 2000 ;[citado 2024 out. 02 ] - Study of heterojunction diodes using POMA/PANI and amorphous silicon structures
- Photoconduction in Schottky diodes with ´MI´c-Si:H(n)/poly(o-methoxyaniline)/a-Si:H(p) structure
- Study of photovoltaic effect on a-Si:H/POMA/'MÜ'c-Si:H structures
- Study of heterojunction diodes using POMA/PANI and amorphous/microcrystalline silicon structures
- Photovoltaic effect on 'MU'c- SiH(n+)/poly (o-methoxyaniline)/a-SiH(p) structures
- Devide model for POMA field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina)
- Obtenção e caracterização de diodo usando a poli (o-metoxianilina)
- Device model for polyaniline field-effect transistor
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas