Desenvolvimento de um sensor de óxido nítrico baseado na tecnologia planar de silício (1999)
- Authors:
- Autor USP: FONTES, MARCELO BARIATTO ANDRADE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA; ÓXIDO NÍTRICO
- Language: Português
- Abstract: O gás óxido nítrico ('NO') é um mediador químico benéfico em muitos processos fisiológicos, gerando um crescente interesse na sua detecção in vivo, bem como em estudos in vitro. Das diversas técnicas existentes para a sua detecção, a técnica eletroquímica permite medir a concentração do 'NO' a nível celular. Neste trabalho, desenvolveu-se um microssensor eletroquímico, para os dois tipos de detecção, in vivo e in vitro, explorando-se a tecnologia planar de silício, a qual apresenta as características de alto rendimento, reprodutibilidade e também de fabricação em massa. O sensor desenvolvido neste trabalho para análise in vitro possui oito áreas de detecção (microeletrodos com área de 10 'micrometros' x 10 'micrometros'), possibilitando quantificar gradientes de concentração do óxido nítrico ou multisensoriamento. Diferentes processos eletroquímicos foram estabelecidos para calibrar e obter reprodutibilidade na resposta química do sensor. O sensor obtido para análise in vivo possui o formato de uma agulha (espessura de 40 'micrometros'), microfabricada em silício pelos métodos de corrosão por plasma ou etch stop. Esta configuração do sensor possui um número de eletrodos de detecção variando de 2 a 10. Explorou-se a detecção amperométrica do óxido nítrico e de seu subproduto interferene, o nitrito ('N''O IND.2'), com o sensor para análise in vitro, em soluções preparadas em laboratório. Verificou-se a necessidade daaplicação de um filme de Nafion na superfície do eletrodo para tornar o sensor seletivo em relação ao 'NO', em baixas concentrações. Em relação ao óxido nítrico, o sensor fabricado possui uma sensibilidade de 500 A/M.cm'POT 2' e limite de detecção de 10 'micrometros'
- Imprenta:
- Data da defesa: 10.03.1999
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade. Desenvolvimento de um sensor de óxido nítrico baseado na tecnologia planar de silício. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 18 nov. 2024. -
APA
Fontes, M. B. A. (1999). Desenvolvimento de um sensor de óxido nítrico baseado na tecnologia planar de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Fontes MBA. Desenvolvimento de um sensor de óxido nítrico baseado na tecnologia planar de silício. 1999 ;[citado 2024 nov. 18 ] -
Vancouver
Fontes MBA. Desenvolvimento de um sensor de óxido nítrico baseado na tecnologia planar de silício. 1999 ;[citado 2024 nov. 18 ]
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