Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (1998)
- Authors:
- Autor USP: HASAN, NASSER MAHMOUD - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Estudamos a influência do processo de deposição de filmes de TI (evaporação ou "sputtering") e das receitas de recozimentos com diferentes rampas de aquecimento na morfologia do siliceto de titânio sobre TI (100). As receitas de recozimento consistiram de dois tipos de rampas inicias de aquecimento (rápido ou lento) desde a temperatura ambiente até temperaturas entre seiscentos e cinqüenta a oitocentos e cinqüenta graus Celsius, seguido por: resfriamento natural, ou patamar isotérmico em um intervalo de tempo ou uma rampa com inclinação diferente (lenta ou rápida) seguido por patamar de oitocentos e cinqüenta graus Celsius. Esses recozimentos foram feitos em fornos de processamento térmico rápido e em ambiente de nitrogênio. Utilizamos diversas técnicas de caracterização para obter os seguintes parâmetros: rugosidade de superfície e de interface, raios médios de grãos, descontinuidade dos filmes, fases e resitência de folha. Com relação aos perfis temporais de temperatura e filmes evaporados de titânio sobre SI (100), verificamos que os filmes de siliceto de titânio apresentaram baixos valores de raios médios de grãos e regiões exposta de silício, quando a rampa de aquecimento era lenta. Entretanto, a superfície de siliceto de titânio apresentou raios médios de grãos maiores comparados com o caso lento quando a rampa de aquecimento era rápida. Com relação ao processo de deposição, verificamos que osfilmes de siliceto de titânio apresentaram baixos valores de rugosidade, de raios médios de grãos e sem regiões exposta de silício, quando o filme de titânio era depositado por "sputtering" e utilizando rampa com subida lenta.
- Imprenta:
- Data da defesa: 12.03.1998
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ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-114106/pt-br.php. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Hasan, N. M. (1998). Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-114106/pt-br.php -
NLM
Hasan NM. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-114106/pt-br.php -
Vancouver
Hasan NM. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-114106/pt-br.php
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