Proposta de implementação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento (1997)
- Authors:
- Autor USP: FURLAN, HUMBER - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Esta dissertação de mestrado, apresenta métodos para obtenção de membranas em substrato de silício para sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento. Para o desenvolvimento deste trabalho foinecessário elaborar os projetos, e organizar uma sala para construção de duas capelas químicas específicas, uma de exaustão e outra com fluxo laminar. A capela de exaustão comporta dois banhos termostatizados para controle de temperatura dosseus respectivos reatores químicos de corrosão anisotrópica. Um reator é utilizado com soluções de KOH e outro com soluções de TMAH. A capela química com fluxo laminar é adequada para processae a limpeza das lâminas ou amostras antes e depois dacorrosão anisotrópica. A limpeza antes da corrosão anisotrópica consiste em condicionar a lâmina para ser imergida na solução de KOH. A limpeza após o processo de corrosão anisotrópica é feita com intuito de retirar todo e qualquer resíduorestante da corrosão, como um exemplo: particulados contendo potássio (K). Foram projetados e fabricados os reatores químicos para a reação de dissolução do silício monocristalino. visando a máximo aproveitamento das soluções e, inclusive,mantendo os valores de suas concentrações no momento de processo. As soluções de KOH utilizadas no processo possuem concentração de 27% em água, sem adição de álcool iso-propílico. Sempre foram utilizadasquantias de 1 litro de solução para queconseguíssemos manter fora de saturação na corrosão, de várias amostras, de uma mesma lâmina de silício, conservando a mesma concentração para diversas temperaturas. Os testes foram feitos com algumas lâminas de 10 a 20'omega'cm, 3 polegadas,dopagem de boro e 350 'mü'm de espessura e algumas de 2,5 E19'cm POT. -3', 2 polegadas dopagem de Boro e 250 'mü'm espessura. Foi elaborada uma curva de ajuste para lâminas de alta dopagem, de onde obtivemos os valores de 0,514 e V para energiade ) ativação e 1,22 X '10 POT. 8''mü'm/h para o fator pré-exponencial. A partir destes, calculamos 3:30 horas para conseguir um diafragma de 40 'mü'm de espessura. Experimentalmente foi obtido um diafragma na espessura de 42 'mü'm oqual demonstra que o modelo utilizado é bastante satisfatório. Os filmes que mais se adequaram para proteção do silício, contra as soluções de corrosão anisotrópica, foram os depositados por ECR (Electron Cyclotron Renosance) na UNICAMP e PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) na TELEBRÁS.
- Imprenta:
- Data da defesa: 01.07.1997
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ABNT
FURLAN, Humber. Proposta de implementação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112024-153519/. Acesso em: 18 mar. 2026. -
APA
Furlan, H. (1997). Proposta de implementação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112024-153519/ -
NLM
Furlan H. Proposta de implementação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento [Internet]. 1997 ;[citado 2026 mar. 18 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112024-153519/ -
Vancouver
Furlan H. Proposta de implementação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento [Internet]. 1997 ;[citado 2026 mar. 18 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112024-153519/
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