Carrier transport in amorphous silicon -based thin-film transistors studied by spin-dependent transport (1996)
- Authors:
- Autor USP: GRAEFF, CARLOS FREDERICO DE OLIVEIRA - FFCLRP
- Unidade: FFCLRP
- DOI: 10.1103/physrevb.54.7957
- Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B, Solid State
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.54, n.11, p.7957-64, 1996
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GRAEFF, C F O et al. Carrier transport in amorphous silicon -based thin-film transistors studied by spin-dependent transport. Physical Review B, Solid State, v. 54, n. 11, p. 7957-64, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.54.7957. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Graeff, C. F. O., Brandt, M. S., Stutzmann, M., & Kawashi, G. (1996). Carrier transport in amorphous silicon -based thin-film transistors studied by spin-dependent transport. Physical Review B, Solid State, 54( 11), 7957-64. doi:10.1103/physrevb.54.7957 -
NLM
Graeff CFO, Brandt MS, Stutzmann M, Kawashi G. Carrier transport in amorphous silicon -based thin-film transistors studied by spin-dependent transport [Internet]. Physical Review B, Solid State. 1996 ;54( 11): 7957-64.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.54.7957 -
Vancouver
Graeff CFO, Brandt MS, Stutzmann M, Kawashi G. Carrier transport in amorphous silicon -based thin-film transistors studied by spin-dependent transport [Internet]. Physical Review B, Solid State. 1996 ;54( 11): 7957-64.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.54.7957 - Ressonãncia de spin eletrônico de condução detectada eletricamente em heteroestruturas de Si/'Si ind 0.7' 'Ge ind.0.3'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.54.7957 (Fonte: oaDOI API)
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