Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1995)
- Authors:
- USP affiliated author: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- School: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 2
- Conference title: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
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ABNT
CAMPO JUNIOR, Vivaldo Leiria; MAREGA JÚNIOR, Euclydes. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais.. São Paulo: USP, 1995. -
APA
Campo Junior, V. L., & Marega Júnior, E. (1995). Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Resumos (Vol. 2). São Paulo: USP. -
NLM
Campo Junior VL, Marega Júnior E. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Resumos. 1995 ; 2 -
Vancouver
Campo Junior VL, Marega Júnior E. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Resumos. 1995 ; 2 - Processamento de amostras semicondutoras: micro e nanofabricação
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