Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1995)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 2
- Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
CAMPO JUNIOR, Vivaldo Leiria e MAREGA JÚNIOR, Euclydes. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1995, Anais.. São Paulo: USP, 1995. . Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Campo Junior, V. L., & Marega Júnior, E. (1995). Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Resumos (Vol. 2). São Paulo: USP. -
NLM
Campo Junior VL, Marega Júnior E. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Resumos. 1995 ; 2[citado 2024 abr. 25 ] -
Vancouver
Campo Junior VL, Marega Júnior E. Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Resumos. 1995 ; 2[citado 2024 abr. 25 ] - Uma proposta curricular para o ensino de mecânica em cursos de licenciatura de matemática e biologia
- Eletronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure
- Xxv olimpiada internacional de fisica
- Caracterização das propriedades elétricas de junções PN comerciais com a temperatura para uso como sensores térmicos
- Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
- Processamento de amostras semicondutoras: micro e nanofabricação
- The influence of alloy scattering in the 'Cd IND.1-x''Mn IND.x'Te electron transport
- Webcourse: uma ferramenta hierárquica para criação e gerenciamento automático de cursos na Web
- Hole transport characteristics in pure and doped GaSb
- Effect of interface roughness on the dynamical properties of superlattices: a Monte Carlo approach
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas