Caracterizacao de composicao quimica de contatos ohmicos e contatos schottky em transistores de alta mobilidade pela tecnica de eds (1993)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFQSC ; AEGERTER, MICHEL ANDRE - IFQSC ; SILVA, MARCELO DE ASSUMPCAO PEREIRA DA - IFSC
- Unidades: IFQSC; IFSC
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1993
- Conference titles: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
-
ABNT
ROSSI, J C et al. Caracterizacao de composicao quimica de contatos ohmicos e contatos schottky em transistores de alta mobilidade pela tecnica de eds. 1993, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica, 1993. . Acesso em: 03 out. 2024. -
APA
Rossi, J. C., Silva, M. de A. P. da, Basmaji, P., & Aegerter, M. A. (1993). Caracterizacao de composicao quimica de contatos ohmicos e contatos schottky em transistores de alta mobilidade pela tecnica de eds. In . Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica. -
NLM
Rossi JC, Silva M de AP da, Basmaji P, Aegerter MA. Caracterizacao de composicao quimica de contatos ohmicos e contatos schottky em transistores de alta mobilidade pela tecnica de eds. 1993 ;[citado 2024 out. 03 ] -
Vancouver
Rossi JC, Silva M de AP da, Basmaji P, Aegerter MA. Caracterizacao de composicao quimica de contatos ohmicos e contatos schottky em transistores de alta mobilidade pela tecnica de eds. 1993 ;[citado 2024 out. 03 ] - Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais
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