Characterization of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' single crystal by impedance spectroscopy (2003)
- Autores:
- Autor USP: HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: São Carlos
- Data de publicação: 2003
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Research
- ISSN: 1516-1439
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 6, n. 4, p. 577-581, Out./Dez. 2003
-
ABNT
MACEDO, Zélia Soares e MARTINEZ, André Luiz e HERNANDES, Antônio Carlos. Characterization of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' single crystal by impedance spectroscopy. Materials Research, v. 6, n. 4, p. 577-581, 2003Tradução . . Acesso em: 20 set. 2024. -
APA
Macedo, Z. S., Martinez, A. L., & Hernandes, A. C. (2003). Characterization of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' single crystal by impedance spectroscopy. Materials Research, 6( 4), 577-581. -
NLM
Macedo ZS, Martinez AL, Hernandes AC. Characterization of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' single crystal by impedance spectroscopy. Materials Research. 2003 ; 6( 4): 577-581.[citado 2024 set. 20 ] -
Vancouver
Macedo ZS, Martinez AL, Hernandes AC. Characterization of 'Bi IND.4''Ge IND.3''O IND.12' single crystal by impedance spectroscopy. Materials Research. 2003 ; 6( 4): 577-581.[citado 2024 set. 20 ] - Pesquisa da USP desenvolve dosímetro para radiação ultravioleta usado em cabines de bronzeamento artificial[Depoimento à Eloiza Strachicini]
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