Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen (2002)
- Autores:
- Autor USP: CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: IOP Publishing
- Local: London
- Data de publicação: 2002
- Fonte:
- Título do periódico: Abstracts
- Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors
-
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira et al. Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. 2002, Anais.. London: IOP Publishing, 2002. . Acesso em: 10 maio 2024. -
APA
Caldas, M. J., Baierle, R. J., Capaz, R. B., & Artacho, E. (2002). Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. In Abstracts. London: IOP Publishing. -
NLM
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 maio 10 ] -
Vancouver
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