Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao (1987)
- Autores:
- Autores USP: PEREIRA, JOSE AUGUSTO DE ALENCAR MENDES - EP ; TORRES, LUIZ CARLOS MOLINA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
-
ABNT
PEREIRA, J A A M e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. . Sao Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 19 set. 2024. , 1987 -
APA
Pereira, J. A. A. M., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. Sao Paulo: Lme-Usp. -
NLM
Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] - Development of double layer structure 1-electrical characterization
- Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados
- Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados
- Construção e caracterização de um fotodiodo de silício
- Controle inteligente de motores
- Projeto e construção de diodos Zener utilizando tecnologia Planar
- Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: concepção da pastilha teste
- Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87
- Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada
- Temos - tecnologia CMOS-NMOS ilha de 3 micra
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
