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Tese (Doutorado)
Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS (1997)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Hasenack, Claus Martin (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, PLASMA, SILÍCIO
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ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Cardoso, A. R. (1997). Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
NLM
Cardoso AR. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
Vancouver
Cardoso AR. Avaliação das características elétricas de filmes de 'Si''O IND.2' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/pt-br.php
Artigo de periodico
Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS (1997)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Hasenack, Claus Martin
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli e HASENACK, Claus Martin. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Cardoso, A. R., & Hasenack, C. M. (1997). Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
NLM
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Vancouver
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Dissertação (Mestrado)
Simulação bidimensional em semicondutores pelo método dos elementos finitos (1989)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Zuffo, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
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ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli. Simulação bidimensional em semicondutores pelo método dos elementos finitos. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Cardoso, A. R. (1989). Simulação bidimensional em semicondutores pelo método dos elementos finitos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Cardoso AR. Simulação bidimensional em semicondutores pelo método dos elementos finitos. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Cardoso AR. Simulação bidimensional em semicondutores pelo método dos elementos finitos. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ]

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