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Relatorio tecnico
Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana (2000)
Nogueira, Sandrino; Silva, Maria Lucia Pereira da
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
NOGUEIRA, Sandrino e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 2000
APA
Nogueira, S., & Silva, M. L. P. da. (2000). Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão (1997)
Souza, S G; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SOUZA, S G e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Souza, S. G., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes (1997)
Gerhard, André; Vale Neto, José Vieira do
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
GERHARD, André e VALE NETO, José Vieira do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Gerhard, A., & Vale Neto, J. V. do. (1997). RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
NLM
Gerhard A, Vale Neto JV do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
Vancouver
Gerhard A, Vale Neto JV do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
Relatorio tecnico
Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. São Paulo: EPUSP.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering (1997)
Souza Filho, J C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Souza Filho, J. C., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Aluminium etching with CC14-N2 plasma (1997)
Nakazawa, Angela Makie; Verdonck, Patrick Bernard
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAKAZAWA, Angela Makie e VERDONCK, Patrick Bernard. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Nakazawa, A. M., & Verdonck, P. B. (1997). Aluminium etching with CC14-N2 plasma. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nakazawa AM, Verdonck PB. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Nakazawa AM, Verdonck PB. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons (1997)
Seabra, Antonio Carlos ; Verdonck, Patrick Bernard
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEABRA, Antonio Carlos e VERDONCK, Patrick Bernard. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Seabra, A. C., & Verdonck, P. B. (1997). O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. São Paulo: EPUSP.
NLM
Seabra AC, Verdonck PB. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Seabra AC, Verdonck PB. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. São Paulo: EPUSP.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Bellodi M, Martino JA. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Circuitos de portas lógicas primitivas implementados a partir de uma classe de lógicas paraconsistentes anotadas (1997)
Silva Filho, João Inácio da; Abe, J R M; Próspero Sanchez, Pedro Luís
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA FILHO, João Inácio da e ABE, J R M e PRÓSPERO SANCHEZ, Pedro Luís. Circuitos de portas lógicas primitivas implementados a partir de uma classe de lógicas paraconsistentes anotadas. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Silva Filho, J. I. da, Abe, J. R. M., & Próspero Sanchez, P. L. (1997). Circuitos de portas lógicas primitivas implementados a partir de uma classe de lógicas paraconsistentes anotadas. São Paulo: EPUSP.
NLM
Silva Filho JI da, Abe JRM, Próspero Sanchez PL. Circuitos de portas lógicas primitivas implementados a partir de uma classe de lógicas paraconsistentes anotadas. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Silva Filho JI da, Abe JRM, Próspero Sanchez PL. Circuitos de portas lógicas primitivas implementados a partir de uma classe de lógicas paraconsistentes anotadas. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS (1997)
Cardoso, Alvaro Romanelli; Hasenack, Claus Martin
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Alvaro Romanelli e HASENACK, Claus Martin. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Cardoso, A. R., & Hasenack, C. M. (1997). Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
NLM
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Vancouver
Cardoso AR, Hasenack CM. Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee818032-72e1-4fd0-a0c4-c516f6aacd44/976983.pdf
Relatorio tecnico
Sistema de inspeção optica de dispositivos bi-dimensionais (1995)
Barreto, Casimiro de Almeida; Próspero Sanchez, Pedro Luís
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARRETO, Casimiro de Almeida e PRÓSPERO SANCHEZ, Pedro Luís. Sistema de inspeção optica de dispositivos bi-dimensionais. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1995
APA
Barreto, C. de A., & Próspero Sanchez, P. L. (1995). Sistema de inspeção optica de dispositivos bi-dimensionais. São Paulo: EPUSP.
NLM
Barreto C de A, Próspero Sanchez PL. Sistema de inspeção optica de dispositivos bi-dimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Barreto C de A, Próspero Sanchez PL. Sistema de inspeção optica de dispositivos bi-dimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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