Menu

Filtros : "SEMICONDUTORES" Limpar

Filtros

Limitar por data

1 - 20 (2.304 registros)

  • Dissertação (Mestrado)

    Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (2025)

    Oliveira, Willer Frank de Sousa; Marega Junior, Euclydes (Orientador)

    Unidade: IFSC

    Assuntos: ÓPTICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Oliveira, W. F. de S. (2025). Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

    • NLM

      Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

    • Vancouver

      Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

  • Artigo de periodico

    A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors (2025)

    Unigarro, Andres David Peña ; Günther, Florian Steffen

    Fonte: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12329-12341 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Unigarro, A. D. P., & Günther, F. S. (2025). A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12329-12341 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02101

    • NLM

      Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101

    • Vancouver

      Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101

  • Artigo de periodico

    Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Fonte: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC

    Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

  • Tese (Doutorado)

    Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (2025)

    Nolasco, Lucas Konaka ; Mendonça, Cleber Renato (Orientador)

    Unidade: EESC

    Assuntos: ÓPTICA NÃO LINEAR, SEMICONDUTORES, DIAMANTE, LASER

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NOLASCO, Lucas Konaka. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Nolasco, L. K. (2025). Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

    • NLM

      Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

    • Vancouver

      Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat

    Fonte: Program. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. 2025, Anais.. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP, 2025. Disponível em: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. In Program. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP. Recuperado de https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

  • Artigo de periodico

    Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors (2025)

    Mello, Saron Rosy Sales de ; Cemin, Felipe ; Echeverrigaray, Fernando Graniero; Jimenez, Mawin Javier Martinez; Piroli, Vanessa; Costa, Fábio Juvêncio Ramalho; Boeira, Carla Daniela ; Leidens, Leonardo Mathias ; Riul Junior, Antonio ; Figueroa, Carlos Alejandro ; Zagonel, Luiz Fernando ; Zanatta, Antonio Ricardo ; Alvarez, Fernando

    Fonte: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MELLO, Saron Rosy Sales de et al. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12380-12392 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Mello, S. R. S. de, Cemin, F., Echeverrigaray, F. G., Jimenez, M. J. M., Piroli, V., Costa, F. J. R., et al. (2025). Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12380-12392 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02214

    • NLM

      Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214

    • Vancouver

      Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214

  • Trabalho de evento-resumo

    Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations (2025)

    Moysés, Renato Mafra; Misoguti, Lino

    Fonte: Presentation program. Nome do evento: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Assuntos: GÁLIO, SEMICONDUTORES, LASER

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOYSÉS, Renato Mafra e MISOGUTI, Lino. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Moysés, R. M., & Misoguti, L. (2025). Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • NLM

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • Vancouver

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

  • Artigo de periodico

    Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)

    Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:https://doi.org/10.1063/5.0244331

    • NLM

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

    • Vancouver

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

  • Dissertação (Mestrado)

    Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)

    Fidelis, Daniel Gonçalves ; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador)

    Unidade: IF

    Assuntos: MODELAGEM MOLECULAR, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • NLM

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • Vancouver

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

  • Artigo de periodico

    Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications (2025)

    Hien, Nguyen Cao; Thang, Nguyen Hoc ; Mahmood, Tahir; Pawlicka, Agnieszka ; Anwar, Mamoona; Munir, Muhammad; Ghafoor, Abdul; Khoa, Tran Le Anh

    Fonte: RSC Advances. Unidade: IQSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ENERGIA, NANOPARTÍCULAS, NÍQUEL, COBALTO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HIEN, Nguyen Cao et al. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, v. 15, p. 22730-22744, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Hien, N. C., Thang, N. H., Mahmood, T., Pawlicka, A., Anwar, M., Munir, M., et al. (2025). Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, 15, 22730-22744. doi:10.1039/D5RA02746B

    • NLM

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

    • Vancouver

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

  • Trabalho de evento-resumo

    Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings (2025)

    Oliveira, Willer Frank de Sousa; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Fonte: Presentation program. Nome do evento: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa et al. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Oliveira, W. F. de S., Pimenta, A. C. S., Lemes, M. F. S., Marega, G. M., Chiesa, R., Kis, A., & Marega Junior, E. (2025). Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • NLM

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • Vancouver

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

  • Artigo de periodico

    Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures (2025)

    Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Calderón, Gaston Lozano ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Ames, Alessandra ; Teodoro, Marcio Daldin ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Wang, Zhenyu ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Fonte: ACS Nano. Unidade: IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, v. 19, n. Ja 2025, p. 2518-2528 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Calderón, G. L., Silva, M. de A. P. da, Ames, A., Teodoro, M. D., et al. (2025). Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, 19( Ja 2025), 2518-2528 + supporting information. doi:10.1021/acsnano.4c13867

    • NLM

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

    • Vancouver

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

  • Artigo de periodico

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Glazov, Mikhail ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat

    Fonte: Physical Review Research. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, v. 7, n. 4, p. 043062-1-043062-8, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Glazov, M., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, 7( 4), 043062-1-043062-8. doi:10.1103/71yh-kprh

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat

    Fonte: Abstract Book. Nome do evento: International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. 2025, Anais.. Aveiro: Universidade de Aveiro, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. In Abstract Book. Aveiro: Universidade de Aveiro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

  • Artigo de periodico

    Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)

    Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962

    • NLM

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962

    • Vancouver

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962

  • Artigo de periodico

    Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel (2024)

    Pusep, Yuri A ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat

    Fonte: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429

    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429

    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429

  • Trabalho de evento-resumo

    Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors (2024)

    Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos

    Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Assuntos: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, SEMICONDUTORES

    PrivadoComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf

    • NLM

      Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf

    • Vancouver

      Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf

  • Artigo de jornal-dep/entr

    Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] (2024)

    Costa, Pedro Felipe Garcia Martins da ; Merízio, Leonnam Gotardo ; de Camargo, Andrea Simone Stucchi

    Fonte: Agência FAPESP. Unidades: IQSC, IFSC

    Assuntos: LASER, FOTOLUMINESCÊNCIA, VIDRO CERÂMICO, NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COSTA, Pedro Felipe Garcia Martins da e MERÍZIO, Leonnam Gotardo e DE CAMARGO, Andrea Simone Stucchi. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001. Acesso em: 01 dez. 2025. , 2024

    • APA

      Costa, P. F. G. M. da, Merízio, L. G., & de Camargo, A. S. S. (2024). Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

    • NLM

      Costa PFGM da, Merízio LG, de Camargo ASS. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] [Internet]. Agência FAPESP. 2024 ;(20 ju 2024. online):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

    • Vancouver

      Costa PFGM da, Merízio LG, de Camargo ASS. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] [Internet]. Agência FAPESP. 2024 ;(20 ju 2024. online):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

  • Trabalho de evento-resumo

    Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho (2024)

    Santos, Eduardo Afonso Moreira; Sipahi, Guilherme Matos

    Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL

    Versão PublicadaComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Eduardo Afonso Moreira e SIPAHI, Guilherme Matos. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Santos, E. A. M., & Sipahi, G. M. (2024). Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf

    • NLM

      Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf

    • Vancouver

      Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf

  • Artigo de periodico

    Photobiomodulation with laser and led on mesenchymal stem cells viability and wound closure in vitro (2024)

    Ferro, Ana Paula; Guirro, Rinaldo Roberto de Jesus ; Orellana, Maristela Delgado ; De Santis, Gil Cunha ; Farina Júnior, Jayme Adriano ; Guirro, Elaine Caldeira de Oliveira

    Fonte: Lasers in Medical Science. Unidade: FMRP

    Assuntos: CÉLULAS-TRONCO, CICATRIZAÇÃO, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERRO, Ana Paula et al. Photobiomodulation with laser and led on mesenchymal stem cells viability and wound closure in vitro. Lasers in Medical Science, v. 39, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s10103-024-04159-z. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Ferro, A. P., Guirro, R. R. de J., Orellana, M. D., De Santis, G. C., Farina Júnior, J. A., & Guirro, E. C. de O. (2024). Photobiomodulation with laser and led on mesenchymal stem cells viability and wound closure in vitro. Lasers in Medical Science, 39. doi:10.1007/s10103-024-04159-z

    • NLM

      Ferro AP, Guirro RR de J, Orellana MD, De Santis GC, Farina Júnior JA, Guirro EC de O. Photobiomodulation with laser and led on mesenchymal stem cells viability and wound closure in vitro [Internet]. Lasers in Medical Science. 2024 ; 39[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10103-024-04159-z

    • Vancouver

      Ferro AP, Guirro RR de J, Orellana MD, De Santis GC, Farina Júnior JA, Guirro EC de O. Photobiomodulation with laser and led on mesenchymal stem cells viability and wound closure in vitro [Internet]. Lasers in Medical Science. 2024 ; 39[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10103-024-04159-z

1 - 20 (2.304 registros)

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo     2012 - 2025