Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates - Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain André; Leite, J. R. (Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997)