Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
- Autores:
- Autor USP: CAMILLO, LUCIANO MENDES - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Assuntos: SEMICONDUTORES; TRANSISTORES; ALTA TEMPERATURA; MICROELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC (“Zero Temperature Coefficient”) em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), através dos modelos de primeira ordem das características da corrente de dreno (IDS) em função da tensão aplicada a porta (VGF) do transistor, considerando as regiões de operação linear e de saturação. Para a validação do modelo, os resultados obtidos são confrontados com dados experimentais, e foi obtido um bom ajuste dos valores, apesar das simplificações adotadas para o modelo proposto. Foi realizada uma análise para estudar o impacto no valor de VZTC com a variação no valor de parâmetros de referência, como Naf e toxf. O erro máximo observado em VZTC para os dispositivos PD é de 3,1% e 4,6% na região linear e 3,5% e 7,2% na região de saturação, respectivamente. Para os dispositivos FD o erro máximo observado foi de 11% e 10% operando no regime linear e 5,3% e 8,4% no regime de saturação. Através do modelo proposto foi realizado o estudo da estabilidade do ponto ZTC em função da variação da degradação da mobilidade com a temperatura (fator c), comprimento de canal (L) e a tensão de dreno (VDS) para os dispositivos supracitados. A analise da influência do fator c em VZTC mostrou-se mais influente nos dispositivos parcialmente depletados (PD). A tensão VZTC, para os dispositivos nMOS, apresentou um menor valor operando na região de saturação do que na região linear, e torna-se mais pronunciada essa diferença para dispositivos com menor comprimento de canal para ambos os tipos de dispositivos, n e pMOS.Observando a variação de VZTC com a tensão de dreno VDS, nota-se uma diminuição no valor de VZTC para altos valores de VDS, para os dois tipos de dispositivos estudados, n e pMOS. Os resultados do modelo proposto foram avaliados com dados experimentais de outras tecnologias SOI MOSFET. Também foi obtido um bom ajuste com os valores para as tecnologias GC-SOI e GC-GAA SOI, operando em regime linear e saturação.
- Imprenta:
- Data da defesa: 04.02.2011
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/ -
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/ -
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
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