Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos (2003)
- Autor:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; PLASMA (MICROELETRÔNICA); MATERIAIS (DESENVOLVIMENTO)
- Idioma: Português
- Resumo: Este trabalho descreve uma série de pesquisas sobre a obtenção, caracterização, processos e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes obtidos pela técnica de Deposição Química a Vapor Assistida por Plasmas (PECVD) desenvolvidas visando a sua aplicação em dispositivos eletrônicos e sistemas micro-eletro-mecânicos (MEMS). As pesquisas em questão envolvem películas de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) e oxinitreto de silício (Si'O IND.x''N IND.y'), ambos obtidos por PECVD em baixas temperaturas ('DA ORDEM DE' '320 GRAUS'C), e tratam da dopagem elétrica e corrosão por plasma de filmes a-SiC:H e da utilização de ambos materiais no desenvolvimento de microestruturas genéricas para MEMS, a saber, grades, membranas e pontes auto sustentadas, fabricadas por técnicas de micro-fabricação de corpo ("bulk") e de superfície. O elo entre esses trabalhos é que, em conjunto, representam o desenvolvimento prévio necessário para o futuro desenvolvimento de dispositivos eletro-ópticos de a-SiC:H e de sistemas micro-eletro-mecânicos (MEMS) totalmente baseados em materiais por PECVD, o que representa a motivação central por trás deste trabalho
- Imprenta:
- Data da defesa: 15.10.2003
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ABNT
PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos. 2003. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Paez Carreño, M. N. (2003). Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Paez Carreño MN. Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos. 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Paez Carreño MN. Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos. 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
- Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication
- Software de simulação e visualização dos processos de microfabricação em superfície para sistemas micro-opto-eletro-mecânico (MOEMS)
- Filmes de carbeto de silício de alto gap óptico obtidos pela técnica de PECVD
- Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films
- Ferramentas de visualização dinâmica para software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- Ferramentas gráficas para desenho de estruturas complexas em software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films
- Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD
- Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD
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