Exportar registro bibliográfico

Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) (2000)

  • Autores:
  • Autor USP: DALPIAN, GUSTAVO MARTINI - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
  • Idioma: Português
  • Resumo: A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseudopotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruçõesdesta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. Adiferença está na configuração dos dímeros de 'SI' da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau deliberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de 'GE' sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem comoutros resultados teóricos e experimentais
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 13.04.2000
  • Acesso à fonte
    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DALPIAN, G. M.; FAZZIO, Adalberto. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100). 2000.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02082013-150131/pt-br.php >.
    • APA

      Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2000). Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02082013-150131/pt-br.php
    • NLM

      Dalpian GM, Fazzio A. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02082013-150131/pt-br.php
    • Vancouver

      Dalpian GM, Fazzio A. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02082013-150131/pt-br.php

    Últimas obras dos mesmos autores vinculados com a USP cadastradas na BDPI:

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo     2012 - 2022